參數(shù)資料
型號(hào): 28F016XD
廠商: Intel Corp.
英文描述: 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位DRAM接口閃速存儲(chǔ)器)
中文描述: 16兆位同步閃存(1,600位內(nèi)存接口閃速存儲(chǔ)器)
文件頁數(shù): 30/54頁
文件大?。?/td> 760K
代理商: 28F016XD
28F016XD FLASH MEMORY
E
30
Read-Modify-Write Cycle
Versions
28F016XD-95
Units
Sym
Parameter
Notes
Min
Max
t
RWC
Read-modify-write cycle time
10
200
ns
t
RWD
RAS# to WE# delay time
5,10
125
ns
t
CWD
CAS# to WE# delay time
5,10
75
ns
t
AWD
Column address to WE# delay time
5,9,10
105
ns
t
OEH
OE# command hold time
10
15
ns
Fast Page Mode Cycle
Versions
28F016XD-95
Units
Sym
Parameter
Notes
Min
Max
t
PC(R)
Fast page mode cycle time (reads)
75
ns
t
PC(W)
Fast page mode cycle time (writes)
80
ns
t
RASP(R)
RAS# pulse width (reads)
95
ns
t
RASP(W)
RAS# pulse width (writes)
80
ns
t
CPA
Access time from CAS# precharge
85
ns
t
CPW
WE# delay time from CAS# precharge
10
0
ns
t
CPRH(R)
RAS# hold time from CAS# precharge (reads)
75
ns
t
CPRH(W)
RAS# hold time from CAS# precharge (writes)
80
ns
Fast Page Mode Read-Modify-Write Cycle
Versions
28F016XD-95
Units
Sym
Parameter
Notes
Min
Max
t
PRWC
Fast page mode read-modify-write cycle time
10
170
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
28F016XS 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位同步閃速存儲(chǔ)器)
28F020 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫閃速存儲(chǔ)器)
28F128J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 128M位Strata閃速存儲(chǔ)器)
28F320J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 32M位英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器)
28F640J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 64M位英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
28F016XS 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) SYNCHRONOUS FLASH MEMORY
28F0181-1SR-10 功能描述:電磁干擾濾波珠子、扼流圈和陣列 115ohms 100MHz 10A Broad Band Frequency RoHS:否 制造商:AVX 阻抗: 最大直流電流:35 mA 最大直流電阻: 容差: 端接類型:SMD/SMT 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 封裝 / 箱體:0603 (1608 metric)
28F020 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY
28F020-150 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F020G12 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: