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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F016XD |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位DRAM接口閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 16兆位同步閃存（1,600位內(nèi)存接口閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁數(shù)： | 49/54頁 |
| 文件大?。?/td> | 760K |
| 代理商： | 28F016XD |
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E
28F016XD FLASH MEMORY
49
t
RAS#
CAS#
OFF
tRPC
tCPN
t
CSR
tRASS
tRPS
tCHS
HI-Z
O
n
0533_18
Figure 18. AC Waveforms for Self-Refresh Operations
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F016XS | 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位同步閃速存儲(chǔ)器) |
| 28F020 | 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫閃速存儲(chǔ)器) |
| 28F128J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 128M位Strata閃速存儲(chǔ)器) |
| 28F320J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 32M位英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器) |
| 28F640J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 64M位英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F016XS | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) SYNCHRONOUS FLASH MEMORY |
| 28F0181-1SR-10 | 功能描述:電磁干擾濾波珠子、扼流圈和陣列 115ohms 100MHz 10A Broad Band Frequency RoHS:否 制造商:AVX 阻抗: 最大直流電流:35 mA 最大直流電阻: 容差: 端接類型:SMD/SMT 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 封裝 / 箱體:0603 (1608 metric) |
| 28F020 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 28F020-150 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F020G12 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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