參數(shù)資料
型號(hào)： 28F020
廠(chǎng)商： Intel Corp.
英文描述： 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫(xiě)閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 5伏體擦除閃存（5V的整體擦寫(xiě)閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 18/47頁(yè)
文件大小： 758K
代理商： 28F020
28F010/28F020
E
18
Table 4. 5 Volt Bulk Erase Typical Update Power Dissipation
(4)
Operation
Notes
Power Dissipation (Watt-Seconds)
28F010
28F020
Array Program/Program Verify
1
0.171
0.34
Array Erase/Erase Verify
2
0.136
0.37
One Complete Cycle
3
0.478
1.05
NOTES:
1.
Formula to calculate typical Program/Program Verify Power = [V
PP
× # Bytes × typical # Prog Pulses (t
× I
PP2
typical
+ t
WHGL
× I
PP4
typical)] + [V
CC
× # Bytes × typical # Prog Pulses (t
WHWH1
× I
CC2
typical + t
WHGL
× I
CC4
typical].
Formula to calculate typical Erase/Erase Verify Power = [V
PP
(V
PP3
typical × t
ERASE
typical + I
PP5
typical × t
WHGL
× #
Bytes)] + [V
CC
(I
CC3
typical × t
ERASE
typical + I
CC5
typical × t
WHGL
One Complete Cycle = Array Preprogram + Array Erase + Program.
“Typicals” are not guaranteed, but based on a limited number of samples from production lots.
2.
3.
4.
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