參數(shù)資料
型號(hào)： 28F020
廠商： Intel Corp.
英文描述： 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫(xiě)閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 5伏體擦除閃存（5V的整體擦寫(xiě)閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 20/47頁(yè)
文件大小： 758K
代理商： 28F020
28F010/28F020
E
20
4.4
DC Characteristics
—28F010—TTL/NMOS Compatible
Commercial Products
Limits
Symbol
Parameter
Notes
Min
Typ
(3)
Max
Unit
Test Conditions
I
LI
Input Leakage Current
1
±1.0
μA
V
CC
= V
CC
Max
V
IN
= V
CC
or V
SS
I
LO
Output Leakage Current
1
±10
μA
V
CC
= V
CC
Max
V
OUT
= V
CC
or V
SS
I
CCS
V
CC
Standby Current
1
0.3
1.0
mA
V
CC
= V
CC
Max
CE# = V
IH
I
CC1
V
CC
Active Read Current
1
10
30
mA
V
CC
= V
CC
Max, CE# = V
IL
f = 6 MHz, I
OUT
= 0 mA
I
CC2
V
CC
Programming Current
1, 2
1.0
10
mA
Programming in Progress
I
CC3
V
CC
Erase Current
1, 2
5.0
15
mA
Erasure in Progress
I
CC4
V
CC
Program Verify
Current
1, 2
5.0
15
mA
V
PP
= V
PPH
Program Verify in Progress
I
CC5
V
CC
Erase Verify Current
1, 2
5.0
15
mA
V
PP
= V
PPH
Erase Verify in Progress
I
PPS
V
PP
Leakage Current
1
±10
μA
V
PP
≤
V
CC
I
PP1
V
PP
Read Current
or Standby Current
1
90
200
μA
V
PP
> V
CC
±10.0
V
PP
≤
V
CC
I
PP2
V
PP
Programming Current
1, 2
8.0
30
mA
V
PP
= V
PPH
Programming in Progress
I
PP3
V
PP
Erase Current
1, 2
6.0
30
mA
V
PP
= V
PPH
Erasure in Progress
I
PP4
V
PP
Program Verify
Current
1, 2
2.0
5.0
mA
V
PP
= V
PPH
Program Verify in Progress
I
PP5
V
PP
Erase Verify Current
1, 2
2.0
5.0
mA
V
PP
= V
PPH
Erase Verify in Progress
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
2.0
V
CC
+ 0.5
V
V
OL
Output Low Voltage
0.45
V
V
CC
= V
CC
Min
I
OL
= 5.8 mA
V
OH1
Output High Voltage
2.4
V
V
CC
= V
CC
Min
I
OH
= –2.5 mA
V
ID
A
9
Intelligent Identifier
Voltage
11.50
13.00
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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28F020N-15 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F020N-90 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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