參數(shù)資料
型號(hào)： 28F020
廠商： Intel Corp.
英文描述： 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫(xiě)閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 5伏體擦除閃存（5V的整體擦寫(xiě)閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 46/47頁(yè)
文件大?。?/td> 758K
代理商： 28F020
28F010/28F020
E
46
4.18
Erase and Programming Performance
Parameter
Notes
Min
Typical
Max
Unit
28F010
28F020
28F010
28F020
Chip Erase Time
1, 3, 4
1
2
10
30
Sec
Chip Program Time
1, 2, 4
2
4
12.5
25
Sec
NOTES:
1.
2.
“Typicals” are not guaranteed, but based on samples from production lots. Data taken at 25 °C, 120 V V
PP
.
Minimum byte programming time excluding system overhead is 16 μsec (10 μsec program + 6 μsec write recovery), while
maximum is 400 μsec/byte (16 μsec x 25 loops allowed by algorithm). Max chip programming time is specified lower than
the worst case allowed by the programming algorithm since most bytes program significantly faster than the worst case
byte.
Excludes 00H programming prior to erasure.
Excludes system level overhead.
3.
4.
290207-19
NOTE:
Alternative CE#-Controlled Write Timings also apply to erase operations.
Figure 19. Alternate AC Waveforms for Programming Operations
相關(guān)PDF資料
PDF描述
28F128J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 128M位Strata閃速存儲(chǔ)器)
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28F640J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 64M位英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器)
28F128 3 Volt Intel StrataFlash Memory
28F1602C3 3 Volt Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V閃速存儲(chǔ)器和靜態(tài)存儲(chǔ)器)
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參數(shù)描述
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28F020N12 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F020N-15 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F020N-90 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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