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參數(shù)資料
| 型號： | 28F020 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫閃速存儲器) |
| 中文描述： | 5伏體擦除閃存（5V的整體擦寫閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 34/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 758K |
| 代理商： | 28F020 |
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28F010/28F020
E
34
4.11
DC Characteristics
—28F020—CMOS Compatible
Extended Temperature Products
(Continued)
Limits
Symbol
Parameter
Notes
Min
Typ
(3)
Max
Unit
Test Conditions
V
PPL
V
PP
during Read-Only
Operations
0.00
6.5
V
NOTE:
Erase/Programs are
Inhibited when V
PP
= V
PPL
V
PPH
V
PP
during Read/Write
Operations
11.40
12.60
V
V
LKO
V
CC
Erase/Write Lock
Voltage
2.5
V
NOTE:
Refer to Section 4.4.
Output
0.8
Test Points
Input
2.0
2.0
0.8
2.4
0.45
0207_06
AC test inputs are driven at V
(2.4 V
) for a Logic
“1”
and V
(0.45 V
) for a Logic “0”. Input timing begins at
V
(2.0 V
) and V
(0.8 V
). Output timing ends at V
IH
and V
IL
. Input rise and fall times (10% to 90%)
<
10 ns.
Figure 6. Testing Input/Output Waveform
Device
Under Test
Out
R
L
= 3.3 k
1N914
1.3V
C
L
= 100 pF
0207_07
C
L
Includes Jig Capacitance
Figure 7. AC Testing Load Circuit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F128J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 128M位Strata閃速存儲器) |
| 28F320J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 32M位英特爾StrataFlash存儲器) |
| 28F640J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 64M位英特爾StrataFlash存儲器) |
| 28F128 | 3 Volt Intel StrataFlash Memory |
| 28F1602C3 | 3 Volt Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V閃速存儲器和靜態(tài)存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F020-150 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F020G12 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F020N12 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F020N-15 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F020N-90 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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