參數(shù)資料
型號(hào)： 28F020
廠商： Intel Corp.
英文描述： 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫(xiě)閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 5伏體擦除閃存（5V的整體擦寫(xiě)閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 44/47頁(yè)
文件大小： 758K
代理商： 28F020
28F010/28F020
E
44
4.16
AC Characteristics
—28F010—Alternative CE#-Controlled Writes
(1)
Commercial and Extended Temperature
Versions
28F010-90
(2)
28F010-120
(2)
28F010-150
(2)
Symbol
Characteristic
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
t
AVAV
Write Cycle Time
90
120
150
ns
t
AVEL
Address Set-Up Time
0
0
0
ns
t
ELAX
Address Hold Time
45
55
55
ns
3
60
t
DVEH
Data Set-Up Time
35
45
45
ns
3
50
t
EHDX
Data Hold Time
10
10
10
ns
t
EHGL
Write Recovery Time before
Read
6
6
6
μs
t
GHWL
Read Recovery Time before
Write
4
0
0
0
ns
t
WLEL
Write Enable Set-Up Time
before Chip Enable
0
0
0
ns
t
EHWH
Write Enable Hold Time
0
0
0
ns
t
ELEH
Write Pulse Width
45
70
70
ns
3
60
t
EHEL
Write Pulse Width High
20
20
20
ns
t
EHEH1
Duration of Programming
Operation
5
10
10
10
μs
t
EHEH2
Duration of Erase Operation
5
9.5
9.5
9.5
ms
t
VPEL
V
PP
Set-Up Time to Chip
Enable Low
4
1
1
1
μs
NOTES:
1.
Read timing characteristics during read/write operations are the same as during read-only operations. Refer to AC
Characteristics for Read-Only Operations
See AC Input/Output Waveformand AC Testing Load Circuitfor testing characteristics.
Minimum specification for extended temperature product.
Guaranteed by design.
The integrated stop timer terminates the programming/erase operations, thus eliminating the need for a maximum
specification.
2.
3.
4.
5.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
28F128J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 128M位Strata閃速存儲(chǔ)器)
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28F640J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 64M位英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器)
28F128 3 Volt Intel StrataFlash Memory
28F1602C3 3 Volt Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V閃速存儲(chǔ)器和靜態(tài)存儲(chǔ)器)
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參數(shù)描述
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28F020N12 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F020N-15 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F020N-90 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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