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參數(shù)資料
| 型號： | GE28F128W30T90 |
| 英文描述： | EEPROM|FLASH|8MX16|CMOS|BGA|60PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 的EEPROM | FLASH動畫| 8M × 16位|的CMOS | BGA封裝| 60PIN |塑料 |
| 文件頁數(shù)： | 12/91頁 |
| 文件大?。?/td> | 994K |
| 代理商： | GE28F128W30T90 |
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1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O
12
Datasheet
2.4
Memory Map and Partitioning
The 1.8 Volt Intel Wireless Flash memory is divided into 4-Mbit physical partitions, which allows
simultaneous RWW or RWE operations and allows users to segment code and data areas on 4-Mbit
boundaries. The device’s memory array is asymmetrically blocked, which enables system code and
data integration within a single flash device. Each block can be erased independently in block erase
mode. Simultaneous program and erase operations are not allowed; only one partition at a time can
be actively programming or erasing. See
Table 2, “Bottom Parameter Memory Map” on page 13
and
Table 3, “Top Parameter Memory Map” on page 14
.
The 32-Mbit device has eight partitions, the 64-Mbit device has 16 partitions, and the 128-Mbit
device has 32 partitions. Each device density contains one parameter partition and several main
partitions. The 4-Mbit parameter partition contains eight 4-Kword parameter blocks and seven 32-
Kword main blocks. Each 4-Mbit main partition contains eight 32-Kword blocks each.
The bulk of the array is divided into main blocks that can store code or data, and parameter blocks
that allow storage of frequently updated small parameters that are normally stored in EEPROM. By
using software techniques, the word-rewrite functionality of EEPROMs can be emulated.
.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GE28F640W30B70 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30B85 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30T70 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30T85 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GF4435 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GE28F160B3BC70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F160B3BC80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F160B3TC70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F160B3TC80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F160C3BA70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
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