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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GE28F128W30T90 |
| 英文描述： | EEPROM|FLASH|8MX16|CMOS|BGA|60PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 的EEPROM | FLASH動(dòng)畫(huà)| 8M × 16位|的CMOS | BGA封裝| 60PIN |塑料 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 14/91頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 994K |
| 代理商： | GE28F128W30T90 |
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1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O
14
Datasheet
3.0
Device Operations
This section provides an overview of device operations. The 1.8 Volt Intel
Wireless Flash memory
with family includes an on-chip WSM to manage block erase and program algorithms. Its CUI
allows minimal processor overhead with RAM-like interface timings.
Table 3.
Top Parameter Memory Map
Size
(KW)
Blk #
32 Mbit
Blk #
64 Mbit
Blk #
128 Mbit
P
O
4
70
1FF000-1FFFFF
134
3FF000-3FFFFF
262
7FF000-7FFFFF
.
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.
.
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.
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4
63
1F8000-1F8FFF
127
3F8000-3F8FFF
255
7F8000-7F8FFF
32
62
1F0000-1F7FFF
126
3F0000-3F7FFF
254
7F0000-7F7FFF
.
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32
56
1C0000-1C7FFF
120
3C0000-3C7FFF
248
7C0000-7C7FFF
M
O
P
32
55
1B8000-1BFFFF
119
3B8000-3BFFFF
247
7B8000-7BFFFF
.
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.
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.
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32
48
18000-187FFF
112
380000-387FFF
240
780000-787FFF
O
P
32
47
178000-17FFFF
111
378000-37FFFF
239
778000-77FFFF
.
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32
40
140000-147FFF
104
340000-347FFF
232
740000-747FFF
O
P
32
39
138000-13FFFF
103
338000-33FFFF
231
738000-73FFFF
.
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.
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.
.
.
32
32
100000-107FFF
96
300000-307FFF
224
700000-707FFF
F
P
32
31
0F8000-0FFFFF
95
2F8000-2FFFFF
223
6F8000-6FFFFF
.
.
.
.
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.
.
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.
32
0
000000-007FFF
64
200000-207FFF
192
600000-607FFF
E
P
32
63
1F8000-1FFFFF
191
5F8000-5FFFFF
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
32
0
000000-007FFF
128
400000-407FFF
S
P
32
127
3F8000-3FFFFF
.
.
.
.
.
.
32
0
000000-007FFF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| GE28F160B3TC80 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F160C3BA70 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
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