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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GE28F128W30T90 |
| 英文描述： | EEPROM|FLASH|8MX16|CMOS|BGA|60PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 的EEPROM | FLASH動(dòng)畫| 8M × 16位|的CMOS | BGA封裝| 60PIN |塑料 |
| 文件頁數(shù)： | 56/91頁 |
| 文件大?。?/td> | 994K |
| 代理商： | GE28F128W30T90 |
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1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O
56
Datasheet
10.3
DC Current Characteristics
Table 19. DC Current Characteristics (Sheet 1 of 2)
Sym
Parameter
(1)
Note
V
CCQ
= 3.0 V
Unit
Test Condition
32/64 Mbit
128 Mbit
Typ
Max
Typ
Max
I
LI
Input Load
9
±2
±2
μA
V
CC
= V
CC
Max
V
CCQ
= V
CCQ
Max
V
IN
= V
CCQ
or GND
V
CC
= V
CC
Max
V
CCQ
= V
CCQ
Max
V
IN
= V
CCQ
or GND
V
CC
= V
CC
Max
V
= V
CCQ
Max
CE# = V
CC
RST# =V
CC
or GND
V
CC
= V
CC
Max
V
= V
CCQ
Max
CE# = V
SSQ
RST# =V
All other inputs =V
CCQ
or
V
SSQ
I
LO
Output
Leakage
DQ[15:0]
±10
±10
μA
I
CCS
V
CC
Standby
10
6
21
6
30
μA
I
CCAPS
APS
11
6
21
6
30
μA
I
CCR
Average
V
Read
Asynchronous
Page Mode
f=13 MHz
2
4
7
4
10
mA
4 Word Read
V
CC
=
V
Max
CE# = V
IL
OE# = V
IH
Inputs=V
IH
or V
IL
Synchronous
CLK = 40 MHz
2
7
15
7
15
mA
Burst length
= 4
9
16
9
16
mA
Burst length
= 8
11
19
11
19
mA
Burst length
=16
12
22
12
22
mA
Burst length
= Continuous
I
CCW
V
CC
Program
3,4,5
18
40
18
40
mA
V
PP
= V
PP1,
Program in
Progress
8
15
8
15
mA
V
PP
= V
PP2,
Program in
Progress
I
CCE
V
CC
Block Erase
3,4,5
18
40
18
40
mA
V
PP
= V
PP1,
Block Erase in
Progress
8
15
8
15
mA
V
PP
= V
PP2,
Block Erase in
Progress
I
CCWS
V
CC
Program Suspend
6
6
21
6
30
μA
CE# = V
CC,
Program Sus-
pended
I
CCES
V
CC
Erase Suspend
6
6
21
6
30
μA
CE# = V
CC,
Erase Sus-
pended
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GE28F640W30B70 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
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| GE28F640W30T70 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30T85 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| GE28F160B3BC80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F160B3TC70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F160B3TC80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F160C3BA70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
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