參數(shù)資料
型號(hào)： GE28F128W30T90
英文描述： EEPROM|FLASH|8MX16|CMOS|BGA|60PIN|PLASTIC
中文描述： 的EEPROM | FLASH動(dòng)畫(huà)| 8M × 16位|的CMOS | BGA封裝| 60PIN |塑料
文件頁(yè)數(shù)： 88/91頁(yè)
文件大?。?/td> 994K
代理商： GE28F128W30T90
1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O
88
Datasheet
Partition and Erase-block Region Information
NOTES:
1. The variable P is a pointer which is defined at CFI offset 15h.
2. TPD - Top parameter device; BPD - Bottom parameter device.
3. Partition: Each partition is 4Mb in size. It can contain main blocks OR a combination of both main and
parameter blocks.
4. Partition Region: Symmetrical partitions form a partition region. (there are two partition regions, A. contains
all the partitions that are made up of main blocks only. B. contains the partition that is made up of the
parameter and the main blocks.
Address
32 Mbit
–B
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--00
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59:
5A:
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5C:
5D:
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5F:
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6A:
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6F:
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76:
64Mbit
128Mbit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GE28F640W30B70 EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
GE28F640W30B85 EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
GE28F640W30T70 EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
GE28F640W30T85 EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
GF4435 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO
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參數(shù)描述
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GE28F160B3BC80 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
GE28F160B3TC70 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
GE28F160B3TC80 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
GE28F160C3BA70 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)
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