參數(shù)資料
型號： GE28F128W30T90
英文描述： EEPROM|FLASH|8MX16|CMOS|BGA|60PIN|PLASTIC
中文描述： 的EEPROM | FLASH動畫| 8M × 16位|的CMOS | BGA封裝| 60PIN |塑料
文件頁數(shù)： 73/91頁
文件大小： 994K
代理商： GE28F128W30T90
1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O
Datasheet
73
11.3
Erase and Program Times
Table 23. Erase and Program Times
Operation
Symbol
Parameter
Description
1
Notes
V
PP1
V
PP2
Unit
Typ
Max
Typ
Max
Erasing and Suspending
Erase Time
W500
tERS/PB
4-Kword Parameter Block
2,3
0.3
2.5
0.25
2.5
s
W501
t
ERS/MB
t
SUSP/P
t
SUSP/E
32-Kword Main Block
2,3
0.7
4
0.4
4
s
Suspend
Latency
W600
Program Suspend
2
5
10
5
10
μs
W601
Erase Suspend
2
5
20
5
20
μs
Programming
Program
Time
W200
tPROG/W
Single Word
2
12
150
8
130
μs
W201
tPROG/PB
4-Kword Parameter Block
2,3
0.05
.23
0.03
0.07
s
W202
tPROG/MB
32-Kword Main Block
2,3
0.4
1.8
0.24
0.6
s
Enhanced Factory Programming
5
Program
W400
tEFP/W
Single Word
4
N/A
N/A
3.5
16
μs
W401
tEFP/PB
4-Kword Parameter Block
2,3
N/A
15
ms
W402
tEFP/MB
32-Kword Main Block
2,3
N/A
120
ms
Operation
Latency
W403
t
EFP/SETUP
t
EFP/TRAN
t
EFP/VERIFY
EFP Setup
N/A
5
μs
W404
Program to Verify Transition
N/A
N/A
2.7
5.6
μs
W405
Verify
N/A
N/A
1.7
130
μs
NOTES:
1. Unless noted otherwise, all parameters are measured at T
A
= +25 °C and nominal voltages, and they are sampled, not 100%
tested.
2. Excludes external system-level overhead.
3. Exact results may vary based on system overhead.
4. W400-Typ is the calculated delay for a single programming pulse. W400-Max includes the delay when programming within a
new word-line.
5. Some EFP performance degradation may occur if block cycling exceeds 10.
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PDF描述
GE28F640W30B70 EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
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GE28F640W30T85 EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
GF4435 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO
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參數(shù)描述
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GE28F160B3TC80 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
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