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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GE28F640W30T70 |
| 英文描述： | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 的EEPROM | FLASH動(dòng)畫| 4MX16 |的CMOS | BGA封裝| 56PIN |塑料 |
| 文件頁數(shù)： | 10/91頁 |
| 文件大?。?/td> | 994K |
| 代理商： | GE28F640W30T70 |
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1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O
10
Datasheet
2.2
Package Diagram
The 1.8 Volt Intel
Wireless Flash memory with is available in a 56 active-ball matrix VF BGA
Chip Scale Package with 0.75 mm ball pitch that is ideal for board-constrained applications.
Figure
1
shows device ballout.
NOTES:
1. On lower density devices, upper address balls can be treated as NC. (Example: For 32-Mbit density, A
23-21
will be NC).
2. See
Appendix C, “Mechanical Specifications” on page 89
for mechanical specifications for the package.
Figure 1. 56-Active-Ball Matrix
A
B
C
D
E
F
G
A
11
A
8
v
SS
v
CC
v
PP
A
18
A
6
A
4
A
12
A
9
A
20
CLK
RST#
A
17
A
5
A
3
A
13
A
10
ADV#
WE#
A
19
A
7
A
2
A
15
A
14
WAIT
A
16
D
12
WP#
A
1
V
CCQ
D
15
D
6
D
4
D
2
D
1
CE#
A
0
V
SS
D
14
D
13
D
11
D
10
D
9
D
0
OE#
D
7
V
SSQ
D
5
v
CC
D
3
V
CCQ
D
8
V
SSQ
A
4
A
6
A
18
v
PP
v
CC
V
SS
A
8
A
11
A
3
A
5
A
17
RST#
CLK
A
20
A
9
A
12
A
2
A
7
WE#
ADV#
A
19
A
10
A
13
A
1
A
14
WP#
D
12
A
16
WAIT
A
15
A
0
CE#
D
1
D
2
D
4
D
6
D
15
V
CCQ
OE#
D
0
D
9
D
10
D
11
D
13
D
14
V
SS
V
SSQ
D
8
V
CCQ
D
3
V
CC
D
5
V
SSQ
D
7
A
B
C
D
E
F
G
Top View - Ball Side Down
Complete Ink Mark Not Shown
Bottom View - Ball Side Up
8
7
6
5
4
3
2
1
1
2
3
4
5
6
7
8
A
21
A
22
A
22
A
21
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GE28F640W30T85 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GF4435 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
| GF4450 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 7.5A I(D) | SO |
| GF4800 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 9A I(D) | SO |
| GF4810 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 10A I(D) | SO |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GE28F640W30T85 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F800B3BA90 | 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 512K x 16, 45 Pin, Plastic, BGA |
| GE28F800B3TA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F800C3BA70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
| GE28F800C3BA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
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