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參數(shù)資料
| 型號： | GE28F640W30T70 |
| 英文描述： | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 的EEPROM | FLASH動畫| 4MX16 |的CMOS | BGA封裝| 56PIN |塑料 |
| 文件頁數(shù)： | 72/91頁 |
| 文件大?。?/td> | 994K |
| 代理商： | GE28F640W30T70 |
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1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O
72
Datasheet
Figure 30. Synchronous Read to Write Operation
Latency Count
Q
D
D
W7
R13
R305
R304
R7
R307
R12
W15
W9
W19
W8
W3
W2
R8
R4
W6
R11
R303
R3
W20
R104
R106
R102
R105
W18
W5
R101
R2
R306
R302
R301
CLK[C]
Address [A]
ADV# [V]
CE# [E]
OE# [G]
WE#
WAIT[T]
Data[D/Q]
Figure 31. Synchronous Write To Read Operation
Latency Count
D
Q
Q
W1
R304
R305
R304
R3
W7
W4
R307
R12
R4
W18
W19
W3
R11
R303
W6
W2
W20
R104
R106
R306
W8
W5
R302
R301
R2
CLK
Address [A]
ADV#
CE# [E}
WE# [W]
OE# [G]
WAIT [T]
Data [D/Q]
RST# [P]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GE28F640W30T85 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GF4435 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
| GF4450 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 7.5A I(D) | SO |
| GF4800 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 9A I(D) | SO |
| GF4810 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 10A I(D) | SO |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GE28F640W30T85 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F800B3BA90 | 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 512K x 16, 45 Pin, Plastic, BGA |
| GE28F800B3TA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F800C3BA70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
| GE28F800C3BA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
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