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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GE28F640W30T70 |
| 英文描述： | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 的EEPROM | FLASH動(dòng)畫| 4MX16 |的CMOS | BGA封裝| 56PIN |塑料 |
| 文件頁數(shù)： | 46/91頁 |
| 文件大?。?/td> | 994K |
| 代理商： | GE28F640W30T70 |
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1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O
46
Datasheet
)
NOTE:
The 16-word boundary is the end of the device sense word-line.
Parameters defined by CPU
:
t
ADD-DELAY
= Clock to CE#, ADV#, or Address Valid, whichever occurs last.
t
DATA
= Data setup to Clock.
Parameters defined by flash
:
t
AVQV
= Address to Output Delay.
Example:
CPU Clock Speed = 40 MHz
t
ADD-DELAY
= 6 ns (typical speed from CPU) (max)
t
DATA
= 4 ns (typical speed from CPU) (min)
t
AVQV
= 70 ns (from AC Characteristic - Read Only Operations Table)
From Eq. (1):
1/40 (MHz) = 25 ns
From Eq. (2)
n(25 ns)
≥
70 ns + 6 ns + 4 ns
n(25 ns)
≥
80 ns
n
≥
80/25 = 3.2
=
4
(Integer)
From Eq. (3)
n - 1= 4 - 1 = 3 (assuming the starting address is at the 4-
word unaligned, must use n-1)
Table 15. First Latency Count (LC)
LC Setting
Burst
Length
Wrap
Aligned to 4-word
Boundary
WAIT Asserted on 16-Word
Boundary Crossing
n–1
4, 8, 16
Disabled
No
Yes, Occurs on Every 16 word
boundary crossing
n–2
4, 8, 16
Disabled
Yes
No
n–2
4, 8, 16
Enabled
No
No
n–2
4, 8, 16
Enabled
Yes
No
n–1
Continuous
X
X
Yes, Occurs Once
1
NOTE:
1. See
Section 8.10, “Burst Length (CR[2:0])” on page 52
for details.
Figure 16. Word Boundary
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A
B C D E
F
16 Word Boundary
Word 0 - 3
Word 4 - 7
Word 8 - B
Word C - F
4 Word Boundary
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GE28F640W30T85 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GF4435 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
| GF4450 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 7.5A I(D) | SO |
| GF4800 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 9A I(D) | SO |
| GF4810 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 10A I(D) | SO |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GE28F640W30T85 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F800B3BA90 | 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 512K x 16, 45 Pin, Plastic, BGA |
| GE28F800B3TA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F800C3BA70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
| GE28F800C3BA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
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