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參數(shù)資料
| 型號： | GE28F640W30T70 |
| 英文描述： | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 的EEPROM | FLASH動(dòng)畫| 4MX16 |的CMOS | BGA封裝| 56PIN |塑料 |
| 文件頁數(shù)： | 63/91頁 |
| 文件大小： | 994K |
| 代理商： | GE28F640W30T70 |
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1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O
Datasheet
63
NOTE:
WAIT shown asserted (CR.10 = 0).
Figure 21. Page-Mode Read Operation Waveform
R105
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OH
V
OL
High Z
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
Valid
Address
V
IH
V
IL
Valid
Address
Valid
Address
Valid
Address
Valid
Address
R102
R104
ADV# [V]
CE# [E]
OE# [G]
WE# [W]
Data [D/Q]
RST# [P]
A[MAX:2] [A]
A[1:0] [A]
R1
R2
R101
R106
R103
R3
R4
R7
R6
R108
R10
R5
R9
R8
V
OL
High Z
WAIT [T]
High Z
Note 1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GE28F640W30T85 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GF4435 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
| GF4450 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 7.5A I(D) | SO |
| GF4800 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 9A I(D) | SO |
| GF4810 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 10A I(D) | SO |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GE28F640W30T85 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F800B3BA90 | 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 512K x 16, 45 Pin, Plastic, BGA |
| GE28F800B3TA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F800C3BA70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
| GE28F800C3BA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
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