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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GE28F640W30T70 |
| 英文描述： | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 的EEPROM | FLASH動(dòng)畫(huà)| 4MX16 |的CMOS | BGA封裝| 56PIN |塑料 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 71/91頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 994K |
| 代理商： | GE28F640W30T70 |
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1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O
Datasheet
71
Figure 28. Asynchronous Read to Write Operation Waveform
Q
D
R5
W7
W4
R10
R7
R6
W6
W3
W2
R9
R4
R8
R3
W8
W5
R1
R2
Address [A]
CE# [E}
OE# [G]
WE# [W]
Data [D/Q]
RST# [P]
Figure 29. Asynchronous Write to Read Operation
D
Q
W1
R9
R8
R4
R3
R2
W7
W4
W14
W18
W3
R10
W6
W2
R1
W8
W5
Address [A]
CE# [E}
WE# [W]
OE# [G]
Data [D/Q]
RST# [P]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GE28F640W30T85 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GF4435 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
| GF4450 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 7.5A I(D) | SO |
| GF4800 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 9A I(D) | SO |
| GF4810 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 10A I(D) | SO |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GE28F640W30T85 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F800B3BA90 | 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 512K x 16, 45 Pin, Plastic, BGA |
| GE28F800B3TA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F800C3BA70 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
| GE28F800C3BA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
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