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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LH28F320S5H-L |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | 32M-BIT ( 2Mbit x16 / 4Mbit x8 )Boot Block Flash MEMORY(32M位( 2M位 x16 / 4M位 x8 )Boot Block 閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 32兆位（2Mbit的x16 /的4Mb × 8）啟動(dòng)塊閃存（32兆位（200萬(wàn)位x16 / 4分位× 8）啟動(dòng)塊閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/50頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 338K |
| 代理商： | LH28F320S5H-L |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)當(dāng)前第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)
- 11 -
word/byte write inactive, (multi) word/byte write suspend
mode, or deep power-down mode.
LH28F320S5-L/S5H-L
MODE
NOTE
1, 2, 3, 9
3
RP#
V
IH
V
IH
CE
0
#
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
X
CE
1
#
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
X
OE#
V
IL
V
IH
WE#
V
IH
V
IH
ADDRESS
X
X
V
PP
X
X
DQ
0
-
15
D
OUT
High Z
STS
X
X
Read
Output Disable
Standby
3
V
IH
X
X
X
X
High Z
X
Deep Power-Down
Read Identifier
Codes
4
V
IL
X
X
X
X
High Z
High Z
See
Fig. 2
See
Table
6 through 10
X
9
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
VI
H
X
(NOTE 5)
High Z
Query
9
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
X
(NOTE 6)
High Z
Write
3, 7, 8, 9
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
X
D
IN
X
NOTES :
1.
Refer to
Section 6.2.3
"
DC CHARACTERISTICS
"
.
When V
PP
≤
V
PPLK
, memory contents can be read, but
not altered.
2.
X can be V
IL
or V
IH
for control pins and addresses, and
V
PPLK
or V
PPH1
for V
PP
. See
Section 6.2.3
"
DC
CHARACTERISTICS
"
for V
PPLK
and V
PPH1
voltages.
3.
STS is V
OL
(if configured to RY/BY# mode) when the
WSM is executing internal block erase, full chip erase,
(multi) word/byte write or block lock-bit configuration
algorithms. It is floated during when the WSM is not
busy, in block erase suspend mode with (multi)
4.
RP# at GND±0.2 V ensures the lowest deep power-
down current.
See
Section 4.2
for read identifier code data.
See
Section 4.5
for query data.
Command writes involving block erase, full chip erase,
(multi) word/byte write or block lock-bit configuration are
reliably executed when V
PP
= V
PPH1
and V
CC
= V
CC1/2
.
Refer to
Table 3
for valid D
IN
during a write operation.
Don’t use the timing both OE# and WE# are V
IL
.
5.
6.
7.
8.
9.
MODE
NOTE
1, 2, 3, 9
3
RP#
V
IH
V
IH
CE
0
#
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
X
CE
1
#
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
X
OE#
V
IL
V
IH
WE#
V
IH
V
IH
ADDRESS
X
X
V
PP
X
X
DQ
0
-
7
D
OUT
High Z
STS
X
X
Read
Output Disable
Standby
3
V
IH
X
X
X
X
High Z
X
Deep Power-Down
Read Identifier
Codes
4
V
IL
X
X
X
X
High Z
High Z
See
Fig. 2
See
Table
6 through 10
X
9
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
X
(NOTE 5)
High Z
Query
9
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
X
(NOTE 6)
High Z
Write
3, 7, 8, 9
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
X
D
IN
X
Table 2.1 Bus Operations (BYTE# = V
IH
)
Table 2.2 Bus Operations (BYTE# = V
IL
)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LH28F320SKTD-L70 | 32MB(2MB x8/1MB x 16 x2 Bank)Smart3/5 Dual Work Flash Memory(32M位(2M位 x8/1M位 x 16 x2 組)Smart3/5 雙工作模式閃速存儲(chǔ)器) |
| LH28F320SKTD | 32M Flash Memory(32M閃速存儲(chǔ)器) |
| LH28F400BVE-TL85 | 4MB (512KB x 8/256KB x 16) SmartVoltage Flash Memory(4M位(512K位 x 8/256K位x 16)閃速存儲(chǔ)器) |
| LH28F400BVHE-TL85 | 4MB (512KB x 8/256KB x 16) SmartVoltage Flash Memory(4M位(512K位 x 8/256K位x 16)閃速存儲(chǔ)器) |
| LH28F400SUE-NC60 | 4M (512K 】 8, 256K 】 16) Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| LH28F320S5-L12 | 制造商:SHARP 制造商全稱(chēng):Sharp Electrionic Components 功能描述:32-MBIT(4MBx8/2MBx16) Smart 5 Flash MEMORY |
| LH28F320S5-L90 | 制造商:SHARP 制造商全稱(chēng):Sharp Electrionic Components 功能描述:32-MBIT(4MBx8/2MBx16) Smart 5 Flash MEMORY |
| LH28F320S5NS-L90 | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 90NS 56SSOP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:FLASH 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán) |
| LH28F320SKTD-L70 | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 56TSOP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:FLASH 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán) |
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