參數(shù)資料
型號： LH28F320S5H-L
廠商： Sharp Corporation
英文描述： 32M-BIT ( 2Mbit x16 / 4Mbit x8 )Boot Block Flash MEMORY(32M位( 2M位 x16 / 4M位 x8 )Boot Block 閃速存儲器)
中文描述： 32兆位（2Mbit的x16 /的4Mb × 8）啟動塊閃存（32兆位（200萬位x16 / 4分位× 8）啟動塊閃速存儲器）
文件頁數(shù)： 27/50頁
文件大?。?/td> 338K
代理商： LH28F320S5H-L
PRELMNARY
Full Status
Check if Desired
LH28F320S5-L/S5H-L
- 27 -
Start
Write E8H,
Start Address
Read
Status Register
0
XSR.7 =
1
Write Word or Byte Count (N)_1,
Start Address
Write Buffer Data,
Start Address
X = 0
Write Buffer Data,
Device Address
NOTES :
1. Byte or word count values on DQ
0-7
are loaded into the
count register.
2. Write buffer contents will be programmed at the start
address.
3. Align the start address on a write buffer boundary for
maximum programming performance.
4. The device aborts the Multi Word/Byte Write command
if the current address is outside of the original block address.
5. The status register indicates an "improper command
sequence" if the Multi Word/Byte Write command is aborted.
Follow this with a Clear Status Register command.
SR full status check can be done after each multi word/byte
write or after a sequence of multi word/byte writes.
Write FFH after the last multi word/byte write operation to
place device in read array mode.
BUS
OPERATION
Write
Read
Standby
Write
(NOTE 1)
COMMAND
Setup Multi
Word/Byte Write
COMMENTS
Data = E8H
Addr = Start Address
Data = Word or Byte Count (N)_1
Addr = Start Address
Write
(NOTE 2, 3)
Data = Buffer Data
Addr = Start Address
Write
(NOTE 4, 5)
Data = Buffer Data
Addr = Device Address
Write
Data = D0H
Addr = X
Read
Status Register Data
Standby
Extended Status Register Data
Check SR.7
1 = WSM Ready
0 = WSM Busy
Multi Word/Byte
Write Abort
Yes
No
No
Write Buffer
Time-Out
Yes
SR.7 =
Multi Word/Byte
Write Complete
0
1
X = X + 1
Write D0H
Read
Status Register
Yes
No
Yes
No
Suspend Multi Word/Byte
Write Loop
Suspend
Multi Word/Byte
Write
Write Another
Block Address
Check XSR.7
1 = Multi Word/Byte Write Ready
0 = Multi Word/Byte Write Busy
Yes
Abort
Buffer Write
Command
Another
Buffer
Write
Fig. 6 Automated Multi Word/Byte Write Flowchart
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LH28F320SKTD-L70 32MB(2MB x8/1MB x 16 x2 Bank)Smart3/5 Dual Work Flash Memory(32M位(2M位 x8/1M位 x 16 x2 組)Smart3/5 雙工作模式閃速存儲器)
LH28F320SKTD 32M Flash Memory(32M閃速存儲器)
LH28F400BVE-TL85 4MB (512KB x 8/256KB x 16) SmartVoltage Flash Memory(4M位(512K位 x 8/256K位x 16)閃速存儲器)
LH28F400BVHE-TL85 4MB (512KB x 8/256KB x 16) SmartVoltage Flash Memory(4M位(512K位 x 8/256K位x 16)閃速存儲器)
LH28F400SUE-NC60 4M (512K 】 8, 256K 】 16) Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LH28F320S5HNS-L90 功能描述:IC FLASH 32MBIT 90NS 56SSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤
LH28F320S5-L12 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:32-MBIT(4MBx8/2MBx16) Smart 5 Flash MEMORY
LH28F320S5-L90 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:32-MBIT(4MBx8/2MBx16) Smart 5 Flash MEMORY
LH28F320S5NS-L90 功能描述:IC FLASH 32MBIT 90NS 56SSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤
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