參數(shù)資料
型號(hào)： LH28F320S5H-L
廠商： Sharp Corporation
英文描述： 32M-BIT ( 2Mbit x16 / 4Mbit x8 )Boot Block Flash MEMORY(32M位( 2M位 x16 / 4M位 x8 )Boot Block 閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 32兆位（2Mbit的x16 /的4Mb × 8）啟動(dòng)塊閃存（32兆位（200萬(wàn)位x16 / 4分位× 8）啟動(dòng)塊閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 44/50頁(yè)
文件大小： 338K
代理商： LH28F320S5H-L
- 44 -
erase, full chip erase, (multi) word/byte write or block
lock-bit configuration success (SR.1/3/4/5 = 0).
SYMBOL
t
AVAV
PARAMETER
NOTE
MIN.
90
MAX.
MIN.
100
MAX.
MIN.
120
MAX.
Write Cycle Time
RP# High Recovery to CE#
Going Low
WE# Setup to CE# Going Low
CE# Pulse Width
WP# V
IH
Setup to CE# Going High
V
PP
Setup to CE# Going High
Address Setup to CE# Going High
Data Setup to CE# Going High
Data Hold from CE# High
Address Hold from CE# High
WE# Hold from CE# High
CE# Pulse Width High
CE# High to STS Going Low
Write Recovery before Read
V
PP
Hold from Valid SRD,
STS High Z
WP# V
IH
Hold from Valid SRD,
STS High Z
NOTES :
1.
In systems where CE# defines the write pulse width
(within a longer WE# timing waveform), all setup, hold
and inactive WE# times should be measured relative to
the CE# waveform.
2.
Sampled, not 100%tested.
3.
Refer to
Table 3
for valid A
IN
and D
IN
for block erase,
full chip erase, (multi) word/byte write or block lock-bit
configuration.
4.
V
PP
should be held at V
PPH1
until determination of block
ns
t
PHEL
2
1
1
1
μs
t
WLEL
t
ELEH
t
SHEH
t
VPEH
t
AVEH
t
DVEH
t
EHDX
t
EHAX
t
EHWH
t
EHEL
t
EHRL
t
EHGL
0
50
100
100
40
40
5
5
0
25
0
50
100
100
40
40
5
5
0
25
0
50
100
100
40
40
5
5
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2
2
3
3
90
90
90
0
0
0
t
QVVL
2, 4
0
0
0
ns
t
QVSL
2, 4
0
0
0
ns
LH28F320S5-L/S5H-L
6.2.6 ALTERNATIVE CE#-CONTROLLED WRITES
(NOTE 1)
V
CC
= 5.0±0.25 V, 5.0±0.5V, T
A
= 0 to +70
C or
–
40 to +85°C
VERSIONS
V
CC
±0.25 V
V
CC
±0.5 V
(NOTE 5)
LH28F320S5-L90
LH28F320S5H-L90
(NOTE 6)
LH28F320S5-L12
LH28F320S5H-L12
(NOTE 6)
LH28F320S5-L90
LH28F320S5H-L90
UNIT
5.
See
Fig. 12
"
Transient Input/Output Reference
Waveform
"
and
Fig. 14
"
Transient Equivalent Testing
Load Circuit
"
(High Speed Configuration) for testing
characteristics.
See
Fig. 13
"
Transient Input/Output Reference
Waveform
"
and
Fig. 14
"
Transient Equivalent Testing
Load Circuit
"
(Standard Configuration) for testing
characteristics.
6.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LH28F320SKTD-L70 32MB(2MB x8/1MB x 16 x2 Bank)Smart3/5 Dual Work Flash Memory(32M位(2M位 x8/1M位 x 16 x2 組)Smart3/5 雙工作模式閃速存儲(chǔ)器)
LH28F320SKTD 32M Flash Memory(32M閃速存儲(chǔ)器)
LH28F400BVE-TL85 4MB (512KB x 8/256KB x 16) SmartVoltage Flash Memory(4M位(512K位 x 8/256K位x 16)閃速存儲(chǔ)器)
LH28F400BVHE-TL85 4MB (512KB x 8/256KB x 16) SmartVoltage Flash Memory(4M位(512K位 x 8/256K位x 16)閃速存儲(chǔ)器)
LH28F400SUE-NC60 4M (512K 】 8, 256K 】 16) Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LH28F320S5HNS-L90 功能描述:IC FLASH 32MBIT 90NS 56SSOP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:FLASH 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán)
LH28F320S5-L12 制造商:SHARP 制造商全稱(chēng):Sharp Electrionic Components 功能描述:32-MBIT(4MBx8/2MBx16) Smart 5 Flash MEMORY
LH28F320S5-L90 制造商:SHARP 制造商全稱(chēng):Sharp Electrionic Components 功能描述:32-MBIT(4MBx8/2MBx16) Smart 5 Flash MEMORY
LH28F320S5NS-L90 功能描述:IC FLASH 32MBIT 90NS 56SSOP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:FLASH 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán)
LH28F320SKTD-L70 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 56TSOP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:FLASH 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán)
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