參數(shù)資料
型號(hào)： LH28F320S5H-L
廠商： Sharp Corporation
英文描述： 32M-BIT ( 2Mbit x16 / 4Mbit x8 )Boot Block Flash MEMORY(32M位( 2M位 x16 / 4M位 x8 )Boot Block 閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 32兆位（2Mbit的x16 /的4Mb × 8）啟動(dòng)塊閃存（32兆位（200萬(wàn)位x16 / 4分位× 8）啟動(dòng)塊閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 38/50頁(yè)
文件大?。?/td> 338K
代理商： LH28F320S5H-L
PRELMNARY
LH28F320S5-L/S5H-L
- 38 -
6.2.3 DC CHARACTERISTICS (contd.)
SYMBOL
PARAMETER
NOTE
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
MIN.
–
0.5
UNIT
TEST
MAX.
0.8
V
CC
+0.5
CONDITIONS
V
IL
Input Low Voltage
7
V
V
IH
Input High Voltage
7
2.0
V
V
OL
Output Low Voltage
3, 7
0.45
V
V
= V
Min.
I
OL
= 5.8 mA
V
CC
= V
CC
Min.
I
OH
=
–
2.5 mA
V
CC
= V
CC
Min.
I
OH
=
–
2.5 mA
V
CC
= V
CC
Min.
I
OH
=
–
100 μA
V
OH1
Output High Voltage
(TTL)
3, 7
2.4
V
0.85
V
CC
V
CC
–
0.4
V
V
OH2
Output High Voltage
(CMOS)
3, 7
V
V
PPLK
V
PP
Lockout voltage during
Normal Operations
V
PP
voltage during Write or Erase
Operations
V
CC
Lockout Voltage
NOTES :
1.
All currents are in RMS unless otherwise noted. Typical
values at nominal V
CC
voltage and T
A
= +25C. These
currents are valid for all product versions (packages and
speeds).
2.
I
CCWS
and I
CCES
are specified with the device de-
selected. If reading or (multi) word/byte writing in erase
suspend mode, the device’s current draw is the sum of
I
CCWS
or I
CCES
and I
CCR
or I
CCW
, respectively.
3.
Includes STS.
4, 7
1.5
V
V
PPH1
4.5
5.5
V
V
LKO
2.0
V
4.
Block erases, full chip erases, (multi) word/byte writes
and block lock-bit configurations are inhibited when V
PP
≤
V
PPLK
, and not guaranteed in the range between
V
PPLK
(max.) and V
PPH1
(min.) and above V
PPH1
(max.).
Automatic Power Saving (APS) reduces typical I
CCR
to
1 mA at 5 V V
CC
in static operation.
CMOS inputs are either V
CC
±0.2 V or GND±0.2 V. TTL
inputs are either V
IL
or V
IH
.
Sampled, not 100% tested.
5.
6.
7.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LH28F320SKTD-L70 32MB(2MB x8/1MB x 16 x2 Bank)Smart3/5 Dual Work Flash Memory(32M位(2M位 x8/1M位 x 16 x2 組)Smart3/5 雙工作模式閃速存儲(chǔ)器)
LH28F320SKTD 32M Flash Memory(32M閃速存儲(chǔ)器)
LH28F400BVE-TL85 4MB (512KB x 8/256KB x 16) SmartVoltage Flash Memory(4M位(512K位 x 8/256K位x 16)閃速存儲(chǔ)器)
LH28F400BVHE-TL85 4MB (512KB x 8/256KB x 16) SmartVoltage Flash Memory(4M位(512K位 x 8/256K位x 16)閃速存儲(chǔ)器)
LH28F400SUE-NC60 4M (512K 】 8, 256K 】 16) Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LH28F320S5HNS-L90 功能描述:IC FLASH 32MBIT 90NS 56SSOP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:FLASH 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán)
LH28F320S5-L12 制造商:SHARP 制造商全稱(chēng):Sharp Electrionic Components 功能描述:32-MBIT(4MBx8/2MBx16) Smart 5 Flash MEMORY
LH28F320S5-L90 制造商:SHARP 制造商全稱(chēng):Sharp Electrionic Components 功能描述:32-MBIT(4MBx8/2MBx16) Smart 5 Flash MEMORY
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