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參數(shù)資料
| 型號： | 28F128 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 3 Volt Intel StrataFlash Memory |
| 中文描述： | 3伏特英特爾StrataFlash存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 22/58頁 |
| 文件大?。?/td> | 380K |
| 代理商： | 28F128 |
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28F128J3A, 28F640J3A, 28F320J3A
16
Preliminary
4.2.5
System Interface Information
The following device information can optimize system interface software.
17h
2
Alternate vendor command set and control interface ID code.
0000h means no second vendor-specified algorithm exists
Secondary algorithm Extended Query Table address.
0000h means none exists
17:
18:
19:
1A:
--00
--00
--00
--00
19h
2
Table 9. CFI Identification
Offset
Length
Description
Add.
Hex
Code
Value
Table 10. System Interface Information
Offset
Length
Description
Add.
Hex
Code
Value
1Bh
1
V
CC
logic supply minimum program/erase voltage
bits 0
–
3 BCD 100 mV
bits 4
–
7 BCD volts
V
logic supply maximum program/erase voltage
bits 0
–
3 BCD 100 mV
bits 4
–
7 BCD volts
V
[programming] supply minimum program/erase voltage
bits 0
–
3 BCD 100 mV
bits 4
–
7 HEX volts
V
PP
[programming] supply maximum program/erase voltage
bits 0
–
3 BCD 100 mV
bits 4
–
7 HEX volts
“
n
”
such that typical single word program time-out = 2
n
μs
“
n
”
such that typical max. buffer write time-out = 2
n
μs
“
n
”
such that typical block erase time-out = 2
n
ms
“
n
”
such that typical full chip erase time-out = 2
n
ms
“
n
”
such that maximum word program time-out = 2
n
times
typical
“
n
”
such that maximum buffer write time-out = 2
n
times typical
“
n
”
such that maximum block erase time-out = 2
n
times typical
“
n
”
such that maximum chip erase time-out = 2
n
times typical
1B:
--27
2.7 V
1Ch
1
1C:
--36
3.6 V
1Dh
1
1D:
--00
0.0 V
1Eh
1
1E:
--00
0.0 V
1Fh
20h
21h
22h
1
1
1
1
1F:
20:
21:
22:
--07
--07
--0A
--00
128 μs
128 μs
1 s
NA
23h
1
23:
--04
2 ms
24h
25h
26h
1
1
1
24:
25:
26:
--04
--04
--00
2 ms
16 s
NA
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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