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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F128 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 3 Volt Intel StrataFlash Memory |
| 中文描述： | 3伏特英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 55/58頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 380K |
| 代理商： | 28F128 |
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28F128J3A, 28F640J3A, 28F320J3A
Preliminary
49
0606_17
NOTES:
CE
X
low is defined as the first edge of CE
0
, CE
1
, or CE
2
that enables the device. CE
X
high is defined at the first edge of CE
0
,
CE
1
, or CE
2
that disables the device (see
Table 2
).
STS is shown in its default mode (RY/BY#).
a. V
CC
power-up and standby.
b. Write block erase, write buffer, or program setup.
c. Write block erase or write buffer confirm, or valid address and data.
d. Automated erase delay.
e. Read status register or query data.
f. Write Read Array command.
Figure 18. AC Waveform for Write Operations
A
IN
A
IN
A
B
C
D
E
F
W15
D
IN
W11
Valid
SRD
D
IN
D
IN
W13
W7
W3
W4
High Z
W2
W9
W16
W12
W6
W1
W5
W8
V
IH
V
IL
ADDRESSES [A]
Disabled (V
IH
)
Enabled (V
IL
)
CE
X
, (WE#) [E(W)]
V
IH
V
IL
OE# [G]
Disabled (V
IH
)
Enabled (V
IL
)
WE#, (CE
) [W(E)]
V
IH
V
IL
DATA [D/Q]
V
OH
V
OL
STS [R]
V
IH
V
IL
RP# [P]
V
PENLK
V
IL
V
PEN
[V]
V
PENH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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