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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F128 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 3 Volt Intel StrataFlash Memory |
| 中文描述： | 3伏特英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 52/58頁(yè) |
| 文件大小： | 380K |
| 代理商： | 28F128 |
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28F128J3A, 28F640J3A, 28F320J3A
46
Preliminary
0606_16
NOTE:
CE
X
low is defined as the first edge of CE
0
, CE
1
, or CE
2
that enables the device. CE
X
high is defined at
the first edge of CE
0
, CE
1
, or CE
2
that disables the device (see
Table 2
).
For standard word/byte read operations, R15 (t
APA
) will equal R2 (t
AVQV
).
When reading the flash array a faster t
GLQV
(R16) applies. Non-array reads refer to status register
reads, query reads, or device identifier reads.
Figure 17. AC Waveform for Both Page-Mode and Standard Word/Byte Read Operations
R1
R8
R10
High Z
R13
R11
R12
R6
R5
R4 or R16
R3
R7
R2
R9
Valid
Output
ADDRESSES [A
23
-A
3
]
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
Disabled (V
IH
)
CE
[E]
Enabled (V
IL
)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
OE# [G]
WE# [W]
DATA [D/Q]
DQ
0
-DQ
15
V
CC
RP# [P]
BYTE# [F]
High Z
R14
ADDRESSES [A
2
-A
0
]
V
IH
V
IL
Valid
Output
R15
Valid
Output
Valid
Address
Valid
Address
Valid
Address
Valid
Output
Valid
Address
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PDF描述 |
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