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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F128 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 3 Volt Intel StrataFlash Memory |
| 中文描述： | 3伏特英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 48/58頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 380K |
| 代理商： | 28F128 |
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28F128J3A, 28F640J3A, 28F320J3A
42
Preliminary
6.4
DC Characteristics
Symbol
Parameter
Notes
Typ
Max
Unit
Test Conditions
I
LI
Input and V
PEN
Load Current
1
±
1
μ
A
V
CC
= V
CC
Max; V
CCQ
= V
CCQ
Max
V
IN
= V
CCQ
or GND
I
LO
Output Leakage Current
1
±
10
μ
A
V
CC
= V
CC
Max; V
CCQ
= V
CCQ
Max
V
IN
= V
CCQ
or GND
I
LO
Output Leakage Current
1
±
10
μ
A
V
CC
= V
CC
Max; V
CCQ
= V
CCQ
Max
V
IN
= V
CCQ
or GND
I
CCS
V
CC
Standby Current
1,2,3,4
50
120
μ
A
CMOS Inputs, V
CC
= V
CC
Max,
Device is enabled (see
Table 2,
“
Chip
Enable Truth Table
”
on page 7
),
RP# = V
CCQ
± 0.2 V
0.71
2
mA
TTL Inputs, V
CC
= V
CC
Max,
Device is enabled (see
Table 2
), RP# = V
IH
I
CCD
V
CC
Power-Down Current
4
50
120
μ
A
RP# = GND ± 0.2 V, I
OUT
(STS) = 0 mA
I
CCR
V
CC
Page Mode Read Current
1,3,4
15
20
mA
CMOS Inputs, V
CC
= V
CC
Max, V
CCQ
=
V
CCQ
Max using standard 4 word page
mode reads.
Device is enabled (see
Table 2
)
f = 5 MHz, I
OUT
= 0 mA
24
29
mA
CMOS Inputs,V
CC
= V
CC
Max, V
CCQ
= V
CCQ
Max using standard 4 word page mode
reads.
Device is enabled (see
Table 2
)
f = 33 MHz, I
OUT
= 0 mA
I
CCR
V
CC
Byte Mode Read Current
1,3,4
40
50
mA
CMOS Inputs, V
CC
= V
CC
Max, V
CCQ
=
V
CCQ
Max using standard word/byte single
reads
Device is enabled (see
Table 2
)
f = 5 MHz, I
OUT
= 0 mA
I
CCW
V
CC
Program or Set Lock-Bit
Current
1,4,5
35
60
mA
CMOS Inputs, V
PEN
= V
CC
40
70
mA
TTL Inputs, V
PEN
= V
CC
I
CCE
V
CC
Block Erase or Clear Block
Lock-Bits Current
1,4,5
35
70
mA
CMOS Inputs, V
PEN
= V
CC
40
80
mA
TTL Inputs, V
PEN
= V
CC
I
CCWS
I
CCES
V
CC
Program Suspend or Block
Erase Suspend Current
1,4,6
10
mA
Device is disabled (see
Table 2
)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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