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參數(shù)資料
| 型號： | HY5R288HC |
| 英文描述： | -|2.5V|8K|40|Direct RDRAM - 288M |
| 中文描述： | - |為2.5V | 8K的| 40 |直接RDRAM的- 288M |
| 文件頁數(shù)： | 49/64頁 |
| 文件大小： | 4542K |
| 代理商： | HY5R288HC |
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Rev.0.9 / Dec.2000
49
Direct RDRAM
256/288-Mbit (512Kx16/18x32s) Preliminary
Timing Characteristics
Table 19: Timing Characteristics
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
Figure(s)
t
Q
CTM-to-DQA/DQB output time @ t
CYCLE
=2.5ns
@ t
CYCLE
=2.8ns
@ t
CYCLE
=3.3ns
-0.26
a
-0.30
a,b
-0.35
a,c
+0.26
a
+0.30
a,b
+0.35
a,c
ns
Figure 56:
t
QR
, t
QF
DQA/DQB output rise and fall times
0.2
0.45
ns
Figure 56:
t
Q1
SCK-to-SIO0 delay @ C
LOAD,MAX
= 20pF (SD read data valid).
-
10
ns
Figure 59:
t
Q1
SCK-to-SIO0 delay @ C
LOAD,MAX
= 20pF (SD read hold).
2
-
ns
Figure 59:
t
QR1
, t
QF1
SIO
OUT
rise/fall @ C
LOAD,MAX
= 20pF
-
5
ns
Figure 59:
t
PROP1
SIO0-to-SIO1 or SIO1-to-SIO0 delay @ C
LOAD,MAX
= 20pF
-
10
ns
Figure 59:
t
NAPXA
NAP exit delay - phase A
-
50
ns
Figure 48:
t
NAPXB
NAP exit delay - phase B
-
40
ns
Figure 48:
t
PDNXA
PDN exit delay - phase A
-
4
μ
s
Figure 48:
t
PDNXB
PDN exit delay - phase B
-
9000
t
CYCLE
Figure 48:
t
AS
ATTN-to-STBY power state delay
-
1
t
CYCLE
Figure 46:
t
SA
STBY-to-ATTN power state delay
-
0
t
CYCLE
Figure 46:
t
ASN
ATTN/STBY-to-NAP power state delay
-
8
t
CYCLE
Figure 47:
t
ASP
ATTN/STBY-to-PDN power state delay
-
8
t
CYCLE
Figure 47:
a.t
and t
for other t
values can be interpolated between or extrapolated from the timings at the 3 specified t
CYCLE
values.
b. This parameter also applies to a -800 part when opreated with t
CYCLE
=2.81ns.
c. This parameter also applies to a -800 or -711part when opreated with t
CYCLE
=3.33ns.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5V16CF | 1Mx16|3.3V|4K|H|SDR SDRAM - 16M |
| HY5V16CF-H | x16 SDRAM |
| HY5V16CF-S | x16 SDRAM |
| HY6116-10 | x8 SRAM |
| HY6116-12 | x8 SRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5S2B6DLF-BE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S2B6DLFP-BE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S2B6DLFP-SE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S2B6DLF-SE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S5B2BLF-6E | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M (8Mx32bit) Mobile SDRAM |
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