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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM48S8030B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(2M x 8位 x 4組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 200萬(wàn)× 8位× 4銀行同步DRAM（2米× 8位× 4組同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 19/43頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 625K |
| 代理商： | KM48S8030B |
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CMOS SDRAM
DEVICE OPERATIONS - III
ELECTRONICS
REV. 3 Feb. '98
4. CAS Interrupt (II) : Read Interrupted by Write & DQM
*Note :
1. To prevent bus contention, there should be at least one gap between data in and data out.
D
1
D
2
RD
D
3
WR
D
0
D
1
D
2
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3
D
0
D
1
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2
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3
D
0
RD
WR
RD
WR
Hi-Z
Hi-Z
RD
WR
Q
0
D
1
D
2
D
3
D
0
Note 1
Hi-Z
(a) CL=2, BL=4
CLK
i) CMD
DQM
DQ
ii) CMD
DQM
DQ
iii) CMD
DQM
DQ
iv) CMD
DQM
DQ
(b) CL=3, BL=4
CLK
i) CMD
DQM
DQ
D
1
D
2
RD
D
3
WR
D
0
D
1
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2
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3
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0
D
1
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2
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3
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0
RD
WR
RD
WR
D
1
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2
D
3
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0
RD
WR
RD
WR
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1
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2
D
3
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0
Hi-Z
Note 1
ii) CMD
DQM
DQ
iii) CMD
DQM
DQ
iii) CMD
DQM
DQ
iv) CMD
DQM
DQ
Q
0
Hi-Z
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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