參數(shù)資料
型號(hào): KM48S8030B
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(2M x 8位 x 4組同步動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述: 200萬× 8位× 4銀行同步DRAM(2米× 8位× 4組同步動(dòng)態(tài)RAM)的
文件頁數(shù): 34/43頁
文件大?。?/td> 625K
代理商: KM48S8030B
TIMING DIAGRAM - III
CMOS SDRAM
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
ELECTRONICS
REV. 2 Mar. '98
Read & Write Cycle at Different Bank @Burst Length=4
HIGH
RAa
Row Active
(A-Bank)
Write
(D-Bank)
Precharge
(B-Bank)
: Don't care
*Note :
1. t
CDL
should be met to complete write.
Read
(A-Bank)
RAa
CDb
RBc
*Note 1
tCDL
RDb
CAa
RAc
Row Active
(D-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
CBc
RBb
BA
0
BA
1
A
10
/AP
CL=2
CL=3
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
QAa0 QAa1
QAa2 QAa3
QAa0
QAa1
QAa2 QAa3
DDb0
DDb1 DDb2 DDb3
DDb0
DDb1 DDb2 DDb3
QBc0
QBc1
QBc2
QBc0
QBc1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM48V514D 512K x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(高速512K x 8位 CMOS 動(dòng)態(tài)RAM(帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出))
KM48V8100B 8M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(8M x 8位 CMOS 動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁模式))
KM48V8000B 8M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(8M x 8位 CMOS 動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁模式))
KM6161000B 64K x16 Bit Low Power CMOS Static RAM(64K x16位低功耗 CMOS 靜態(tài)RAM)
KM6161002A 64K x 16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(64K x 16位高速CMOS 靜態(tài)RAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KM48S8030C 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
KM48S8030CT-G/FA 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
KM48S8030D 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
KM48V2000B 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
KM48V2100B 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode