參數(shù)資料
型號(hào)： KM48S8030B
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 2M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(2M x 8位 x 4組同步動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 200萬(wàn)× 8位× 4銀行同步DRAM（2米× 8位× 4組同步動(dòng)態(tài)RAM）的
文件頁(yè)數(shù)： 43/43頁(yè)
文件大小： 625K
代理商： KM48S8030B
TIMING DIAGRAM - III
CMOS SDRAM
0 1 2 3 4 5 6 7 8 90 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
ELECTRONICS
REV. 2 Mar. '98
Mode Register Set Cycle
HIGH
MRS
Auto Refresh
: Don't care
*Note :
1. CS, RAS, CAS, & WE activation at the same clock cycle with address key will set internal mode register.
2. Minimum 2 clock cycles should be met before new RAS activation.
3. Please refer to Mode Register Set table.
New
Command
New Command
Hi-Z
Hi-Z
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
tRC
ó
ó
HIGH
MODE REGISTER SET CYCLE
* All banks precharge should be completed before Mode Register Set cycle and auto refresh cycle.
Auto Refresh Cycle
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
Key
Ra
*Note 3
*Note 1
*Note 2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM48V514D 512K x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(高速512K x 8位 CMOS 動(dòng)態(tài)RAM(帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出))
KM48V8100B 8M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(8M x 8位 CMOS 動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁(yè)模式))
KM48V8000B 8M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(8M x 8位 CMOS 動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁(yè)模式))
KM6161000B 64K x16 Bit Low Power CMOS Static RAM(64K x16位低功耗 CMOS 靜態(tài)RAM)
KM6161002A 64K x 16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(64K x 16位高速CMOS 靜態(tài)RAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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KM48V2100B 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
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