參數(shù)資料
型號： M58MR016C
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 16 Mbit 1Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
中文描述： 16兆1兆x16插槽，復(fù)用的I / O，雙行，突發(fā)1.8V電源快閃記憶體
文件頁數(shù)： 35/51頁
文件大小： 389K
代理商： M58MR016C
35/51
M58MR016C, M58MR016D
Table 29. Write AC Characteristics, Write Enable Controlled
(T
A
= –40 to 85 °C; V
DD
= V
DDQ
= 1.7V to 2.0V)
Symbol
Alt
Parameter
M58MR016
Unit
100
120
Min
Max
Min
Max
t
AVAV
t
WC
Address Valid to Next Address Valid
100
120
ns
t
AVLH
Address Valid to Latch Enable High
10
10
ns
t
DVWH
t
DS
Input Valid to Write Enable High
40
40
ns
t
ELLH
Chip Enable Low to Latch Enable High
10
10
ns
t
ELWL
t
CS
Chip Enable Low to Write Enable Low
0
0
ns
t
GHLL
Output Enable High to Latch Enable Low
20
20
ns
t
GHWL
Output Enable High to Write Enable Low
20
20
ns
t
LHAX
Latch Enable High to Address Transition
10
10
ns
t
LHWH
Latch Enable High to Write Enable High
10
10
ns
t
LLLH
Latch Enable Pulse Width
10
10
ns
t
VDHEL
t
VCS
V
DD
High to Chip Enable Low
50
50
μs
t
VPPHWH
V
PP
High to Write Enable High
200
200
ns
t
WHDX
t
DH
Write Enable High to Input Transition
0
0
ns
t
WHEH
t
CH
Write Enable High to Chip Enable High
0
0
ns
t
WHGL
t
OEH
Write Enable High to Output Enable Low
0
0
ns
t
WHLL
Write Enable High to Latch Enable Low
0
0
ns
t
WHVPPL
Write Enable High to V
PP
Low
200
200
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Enable High to Write Enable Low
30
30
ns
t
WHWPV
Write Enable High to Write Protect Valid
200
200
ns
t
WLWH
t
WP
Write Enable Low to Write Enable High
50
50
ns
t
WPVWH
Write Protect Valid to Write Enable High
200
200
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M58MR032C 32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M58WR032F-ZBF CAP 560PF 100V 1% NP0(C0G) AXIAL RAD.20 BULK R-MIL-PRF-20 STANDOFF
M58WR032F-ZBE 32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
M58WR032FB80ZB6T 32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
M58WR032FT 32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M58MR016C120ZC6T 功能描述:閃存 16M (1Mx16) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M58MR016CZC 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M58MR016D 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M58MR016DZC 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M58MR016-ZCT 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
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