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參數(shù)資料
| 型號： | MT47H128M8HV-187ELIT:E |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 8 X 11.50 MM, FBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 46/133頁 |
| 文件大?。?/td> | 9170K |
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Table 1: Key Timing Parameters
Speed Grade
Data Rate (MT/s)
tRC (ns)
CL = 3
CL = 4
CL = 5
CL = 6
CL = 7
-187E
400
533
667
800
1066
54
-25E
400
533
800
n/a
55
-25
400
533
667
800
n/a
55
-3E
400
667
n/a
54
-3
400
533
667
n/a
55
-37E
400
533
n/a
55
Table 2: Addressing
Parameter
256 Meg x 4
128 Meg x 8
64 Meg x 16
Configuration
32 Meg x 4 x 8 banks
16 Meg x 8 x 8 banks
8 Meg x 16 x 8 banks
Refresh count
8K
Row address
A[13:0] (16K)
A[12:0] (8K)
Bank address
BA[2:0] (8)
Column address
A[11, 9:0] (2K)
A[9:0] (1K)
1Gb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
Features
PDF: 09005aef821ae8bf
1GbDDR2.pdf – Rev. S 10/09 EN
2
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2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT47H128M8HQ-187ELAT:E | 128M X 8 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA60 |
| MT48LC2M32B1TG-7 | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
| MT48LC32M4A2P-7ELIT:G | 32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| MT55L256L18FT-12TR | 256K X 18 ZBT SRAM, 9 ns, PQFP100 |
| MT55L256L32FT-12 | 256K X 32 ZBT SRAM, 9 ns, PQFP100 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT47H128M8HV-25AT | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
| MT47H128M8HV-25EAT | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
| MT47H128M8HV-25EIT | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
| MT47H128M8HV-25EL | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
| MT47H128M8HV-25IT | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
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