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參數(shù)資料
| 型號： | MT47H128M8HV-187ELIT:E |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 8 X 11.50 MM, FBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 47/133頁 |
| 文件大?。?/td> | 9170K |
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Figure 9: 60-Ball FBGA Package (8mm x 11.5mm) – x4, x8
Ball A1 ID
0.8 TYP
8 ±0.1
9
8
7
3
2
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
Seating
plane
A
8 CTR
6.4 CTR
0.12 A
60X 0.45
Solder ball material:
Pb-free – (SAC305) SnAgCu
Pb – (Eutectic) SnPbAg
Dimensions apply to solder
balls post-reflow on
0.35 SMD ball pads.
11.5 ±0.1
Ball A1 ID
0.8 TYP
Exposed
gold-plated pad
1.0 MAX X 0.7
nonconductive
floating pad
0.8 ±0.1
1.2 MAX
0.25 MIN
Note: 1. All dimensions are in millimeters.
1Gb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
Packaging
PDF: 09005aef821ae8bf
1GbDDR2.pdf – Rev. S 10/09 EN
20
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT47H128M8HQ-187ELAT:E | 128M X 8 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA60 |
| MT48LC2M32B1TG-7 | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
| MT48LC32M4A2P-7ELIT:G | 32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| MT55L256L18FT-12TR | 256K X 18 ZBT SRAM, 9 ns, PQFP100 |
| MT55L256L32FT-12 | 256K X 32 ZBT SRAM, 9 ns, PQFP100 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT47H128M8HV-25AT | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
| MT47H128M8HV-25EAT | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
| MT47H128M8HV-25EIT | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
| MT47H128M8HV-25EL | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
| MT47H128M8HV-25IT | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
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