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參數(shù)資料
| 型號： | MT47H128M8HV-187ELIT:E |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 8 X 11.50 MM, FBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 89/133頁 |
| 文件大?。?/td> | 9170K |
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Figure 23: Nominal Slew Rate for tIS
VSS
CK#
CK
tIH
tIS
tIH
Setup slew rate
rising signal
Setup slew rate
falling signal
Δ
TF
Δ
TR
Δ
TF
=
VIH(AC)min - VREF(DC)
Δ
TR
=
VDDQ
tIS
Nominal
slew rate
VREF to AC
region
VREF to AC
region
VREF(DC) - VIL(AC)max
VIH(DC)min
VREF(DC)
VIL(AC)max
VIL(DC)max
VIH(AC)min
Nominal
slew rate
Figure 24: Tangent Line for tIS
Setup slew rate
rising signal
Δ
TF
Δ
TR
Tangent line (VIH[AC]min- VREF[DC])
Δ
TR
=
Tangent
line
Tangent
line
VREF to AC
region
Nominal
line
tIH
tIS
tIH
tIS
VSS
CK#
CK
VDDQ
VIH(AC)min
VIH(DC)min
VREF(DC)
VIL(DC)max
VIL(AC)max
VREF to AC
region
Nominal
line
1Gb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
Input Slew Rate Derating
PDF: 09005aef821ae8bf
1GbDDR2.pdf – Rev. S 10/09 EN
59
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT47H128M8HQ-187ELAT:E | 128M X 8 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA60 |
| MT48LC2M32B1TG-7 | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
| MT48LC32M4A2P-7ELIT:G | 32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| MT55L256L18FT-12TR | 256K X 18 ZBT SRAM, 9 ns, PQFP100 |
| MT55L256L32FT-12 | 256K X 32 ZBT SRAM, 9 ns, PQFP100 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT47H128M8HV-25AT | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
| MT47H128M8HV-25EAT | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
| MT47H128M8HV-25EIT | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
| MT47H128M8HV-25EL | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
| MT47H128M8HV-25IT | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
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