參數(shù)資料
型號： MT48LC4M16A2P-75:G
元件分類： DRAM
英文描述： 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁數(shù)： 50/72頁
文件大?。?/td> 3455K
PDF: 09005aef80725c0b/Source: 09005aef806fc13c
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
64MSDRAM_2.fm - Rev. N 12/08 EN
54
2000 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
64Mb: x4, x8, x16 SDRAM
Timing Diagrams
Figure 37:
Clock Suspend Mode
Notes:
1. For this example, BL = 2, CL = 3, and auto precharge is disabled.
2. x16: A8, A9 and A11 = “Don’t Care”
x8: A9 and A11 = “Don’t Care”
x4: A11 = “Don’t Care”
tCH
tCL
tCK
AC
tLZ
DQM /
DQML, DQMH
CLK
A0–A9, A11
DQ
BA0, BA1
A10
tOH
DOUT m
tAH
tAS
tAH
tAS
tAH
tAS
BANK
tDH
DIN e
tAC
tHZ
DOUT m + 1
COMMAND
tCMH
tCMS
NOP
READ
WRITE
DON’T CARE
UNDEFINED
CKE
tCKS tCKH
BANK
COLUMN m
tDS
DIN e + 1
NOP
tCKH
tCKS
tCMH
tCMS
2
COLUMN e2
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M93C06-MB6G 16 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8
MT48LC4M16A2F4-6IT:G 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA54
MT46V32M8FG-6TIT:G 32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60
MT46V32M8BG-6AT:G 32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60
M29F800FB55N3E2 512K X 16 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO48
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