參數(shù)資料
型號： MT48LC4M16A2P-75:G
元件分類： DRAM
英文描述： 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁數(shù)： 64/72頁
文件大小： 3455K
PDF: 09005aef80725c0b/Source: 09005aef806fc13c
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
64MSDRAM_2.fm - Rev. N 12/08 EN
67
2000 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
64Mb: x4, x8, x16 SDRAM
Timing Diagrams
Figure 50:
Single WRITE – With Auto Precharge
Notes:
1. For this example, BL = 1.
2. x16: A8, A9 and A11 = “Don’t Care”
x8: A9 and A11 = “Don’t Care”
x4: A11 = “Don’t Care”
3. WRITE command not allowed or tRAS would be violated.
ENABLE AUTO PRECHARGE
tCH
tCL
tCK
tRP
tRAS
tRCD
tRC
DQM /
DQML, DQMH
CKE
CLK
A0–A9, A11
DQ
BA0, BA1
A10
tCMH
tCMS
tAH
tAS
ROW
BANK
ROW
BANK
tWR
DIN m
COMMAND
tCMH
tCMS
NOP3
NOP
ACTIVE
NOP3
WRITE
NOP
ACTIVE
tAH
tAS
tAH
tAS
tDH
tDS
tCKH
tCKS
NOP
COLUMN m2
T0
T1
T2
T4
T3
T5
T6
T7
T8
T9
DON’T CARE
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PDF描述
M93C06-MB6G 16 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8
MT48LC4M16A2F4-6IT:G 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA54
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MT46V32M8BG-6AT:G 32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60
M29F800FB55N3E2 512K X 16 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO48
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