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參數(shù)資料
| 型號： | S71PL191HB0BFI100 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73 |
| 封裝： | 9 X 13 MM, LEAD FREE, FBGA-73 |
| 文件頁數(shù)： | 52/172頁 |
| 文件大?。?/td> | 4662K |
| 代理商： | S71PL191HB0BFI100 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁當前第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁
May 7, 2004 S29JL064HA1
S29JL064H
49
Pre l i m i n a r y
AC Characteristics
Erase and Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase And Programming Performance” section for more information.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
55
70
85
Unit
tAVAV
tWC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
55
70
85
ns
tAVWL
tAS
Address Setup Time
Min
0
ns
tASO
Address Setup Time to OE# low during toggle bit
polling
Min
15
ns
tWLAX
tAH
Address Hold Time
Min
30
40
45
ns
tAHT
Address Hold Time From CE# or OE# high
during toggle bit polling
Min
0
ns
tDVWH
tDS
Data Setup Time
Min
30
40
45
ns
tWHDX
tDH
Data Hold Time
Min
0
ns
tOEPH
Output Enable High during toggle bit polling
Min
20
ns
tGHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
tELWL
tCS
CE# Setup Time
Min
0
ns
tWHEH
tCH
CE# Hold Time
Min
0
ns
tWLWH
tWP
Write Pulse Width
Min
25
30
35
ns
tWHDL
tWPH
Write Pulse Width High
Min
25
30
ns
tSR/W
Latency Between Read and Write Operations
Min
0
ns
tWHWH1
Programming Operation (Note 2)
Byte
Typ
5
s
Word
Typ
7
tWHWH1
Accelerated Programming Operation,
Word or Byte (Note 2)
Typ
4
s
tWHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.4
sec
tVCS
Min
50
s
tRB
Write Recovery Time from RY/BY#
Min
0
ns
tBUSY
Program/Erase Valid to RY/BY# Delay
Max
90
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71VS128RC0ZHK203 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56 |
| S71VS128RC0ZHK2L2 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56 |
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| S72NS512PE0AHGL02 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA133 |
| S7911 | PIN PHOTO DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| S71PL254J04BAW0Z0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
| S71PL254J04BAW0Z2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
| S71PL254J04BAW0Z3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
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