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參數(shù)資料
| 型號： | S71PL191HB0BFI100 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73 |
| 封裝： | 9 X 13 MM, LEAD FREE, FBGA-73 |
| 文件頁數(shù)： | 69/172頁 |
| 文件大小： | 4662K |
| 代理商： | S71PL191HB0BFI100 |
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March 10, 2004 S71PL191_193Hx0_00A1
32 Mb pSRAM (Supplier 2)
65
Ad va nc e
Inform ati o n
Read Cycle Notes
1. tHZ and tOHZ are defined as the time at which the outputs achieve the open circuit conditions and are not referenced
to output voltage levels.
2. At any given temperature and voltage condition, tHZ(Max.) is less than tLZ(Min.) both for a given device and from
device to device interconnection.
3. tOE(max) is met only when OE# becomes enabled after tAA(max).
4. If invalid address signals shorter than min. tRC are continuously repeated for over 4s, the device needs a normal
read timing(tRC) or needs to sustain standby state for min. tRC at least once in every 4s.
Figure 31. Timing Waveform of Read Cycle(Note 2)(ZZ#=WE#=VIH)
Figure 32. Timing Waveform of Write Cycle (Note 1)(WE# Controlled,
ZZ#=VIH)
Data Valid
High-Z
tRC
tOH
tAA
tBA
tOE
tOLZ
tBLZ
tLZ
tOHZ
tBHZ
tHZ
tCO
Address
CS#
UB#, LB#
Data out
OE#
Address
Data Undefined
Data in
Data out
tWC
tCW(2)
tAW
tBW
tWP(1)
tAS(3)
tDH
tDW
tWHZ
tOW
High-Z
Data Valid
tWR(4)
CS#
UB#, LB#
WE#
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