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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB18T256324F-22 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz] |
| 中文描述： | 256兆GDDR3顯示內(nèi)存[600MHz的] |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 41/80頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 2026K |
| 代理商： | HYB18T256324F-22 |
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HYB18T256324F–[16/20/22]
256-Mbit DDR SGRAM
Functional Description
Data Sheet
41
Rev. 1.11, 04-2005
10292004-DOXT-FS0U
3.7.4
Write with Autoprecharge
Figure 24
Write with Autoprecharge
1. Shown with nominal value of
t
DQSS
2. t
WR/A
starts at the first rising edge of CLK after the last valid edge of WDQS.
3. t
RP
starts after
t
WR/A
has been expired.
4. when issuing a WR/A command please consider that the
t
RAS
requirement also must be met at the beginning
of
t
RP
5.
t
WR/A
*
t
CYC
≥
t
WR
6. WDQS can only transition when data is applied at the chip input and during pre- and postambles
$ONgT #ARE
72 ! 72)4% WITH AUTO PRECHARGE
$
$A TA TO " #
$%3
$ESELECT
. $
./0 OR $E SELECT
#OM
!DDR
7,
#OMMAND
!DDRESS " #
7RITE ,ATENCY
" #
"ANK #OLUMN ADDRESS
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#,+
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!UTOPRECHARGE
7,
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$1
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!UTOPRECHARGE
T
-).
SATISFIED
7,
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$1
T
72 !
"EGIN OF
!UTOPRECHARGE
T
-).
SATISFIED
T
20
$
$
$
$
$
$
$
$
$
$
$
$
T
-).
SATISFIED
T
20
T
20
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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