參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18T256324F-22
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 256-Mbit GDDR3 DRAM [600MHz]
中文描述： 256兆GDDR3顯示內(nèi)存[600MHz的]
文件頁數(shù)： 42/80頁
文件大?。?/td> 2026K
代理商： HYB18T256324F-22
HYB18T256324F–[16/20/22]
256-Mbit DDR SGRAM
Functional Description
Data Sheet
42
Rev. 1.11, 04-2005
10292004-DOXT-FS0U
3.7.5
Write followed by Read
Figure 25
Write followed by Read
1. Shown with nominal value of
t
DQSS.
2. The RD command may be either for the same bank or another bank.
3. WDQS can only transition when data is applied at the chip input and during pre- and postambles.
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T256400AFL-3 256 Mbi t DDR2 SDRAM
HYB18T256160A-3S 256 Mbi t DDR2 SDRAM
HYB18T256800AFL-3 256 Mbi t DDR2 SDRAM
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HYB18T256800AFL-37 256 Mbi t DDR2 SDRAM
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參數(shù)描述
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