參數(shù)資料
型號(hào)： K4B4G0846B-MCF80
元件分類： DRAM
英文描述： 512M X 8 DDR DRAM, 0.3 ns, PBGA78
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78
文件頁數(shù)： 16/59頁
文件大?。?/td> 1079K
代理商： K4B4G0846B-MCF80
Page 23 of 59
Rev. 1.0 March 2009
DDP 4Gb DDR3 SDRAM
K4B4G0446B
K4B4G0846B
9.8.1 ODT DC electrical characteristics
Table 26 provides and overview of the ODT DC electrical characteristics. They values for RTT60pd120, RTT60pu120, RTT120pd240, RTT120pu240, RTT40pd80,
RTT40pu80, RTT30pd60, RTT30pu60, RTT20pd40, RTT20pu40 are not specification requirements, but can be used as design guide lines:
[ Table 25 ] ODT DC Electrical characteristics, assuming RZQ=240 ohm +/- 1% entire operationg temperature range ;
after proper ZQ calibration.
MR1 (A9,A6,A2)
RTT
RESISTOR
Vout
Min
Nom
Max
Unit
Notes
(0,1,0)
120 ohm
RTT120pd240
VOL(DC) 0.2XVDDQ
0.6
1.0
1.1
RZQ
1,2,3,4
0.5XVDDQ
0.9
1.0
1.1
RZQ
1,2,3,4
VOH(DC) 0.8XVDDQ
0.9
1.0
1.4
RZQ
1,2,3,4
RTT120pu240
VOL(DC) 0.2XVDDQ
0.9
1.0
1.4
RZQ
1,2,3,4
0.5XVDDQ
0.9
1.0
1.1
RZQ
1,2,3,4
VOH(DC) 0.8XVDDQ
0.6
1.0
1.1
RZQ
1,2,3,4
RTT120
VIL(AC) to VIH(AC)
0.9
1.0
1.6
RZQ/2
1,2,5
(0,0,1)
60 ohm
RTT60pd240
VOL(DC) 0.2XVDDQ
0.6
1.0
1.1
RZQ/2
1,2,3,4
0.5XVDDQ
0.9
1.0
1.1
RZQ/2
1,2,3,4
VOH(DC) 0.8XVDDQ
0.9
1.0
1.4
RZQ/2
1,2,3,4
RTT60pu240
VOL(DC) 0.2XVDDQ
0.9
1.0
1.4
RZQ/2
1,2,3,4
0.5XVDDQ
0.9
1.0
1.1
RZQ/2
1,2,3,4
VOH(DC) 0.8XVDDQ
0.6
1.0
1.1
RZQ/2
1,2,3,4
RTT60
VIL(AC) to VIH(AC)
0.9
1.0
1.6
RZQ/4
1,2,5
(0,1,1)
40 ohm
RTT40pd240
VOL(DC) 0.2XVDDQ
0.6
1.0
1.1
RZQ/3
1,2,3,4
0.5XVDDQ
0.9
1.0
1.1
RZQ/3
1,2,3,4
VOH(DC) 0.8XVDDQ
0.9
1.0
1.4
RZQ/3
1,2,3,4
RTT40pu240
VOL(DC) 0.2XVDDQ
0.9
1.0
1.4
RZQ/3
1,2,3,4
0.5XVDDQ
0.9
1.0
1.1
RZQ/3
1,2,3,4
VOH(DC) 0.8XVDDQ
0.6
1.0
1.1
RZQ/3
1,2,3,4
RTT40
VIL(AC) to VIH(AC)
0.9
1.0
1.6
RZQ/6
1,2,5
(1,0,1)
30 ohm
RTT60pd240
VOL(DC) 0.2XVDDQ
0.6
1.0
1.1
RZQ/4
1,2,3,4
0.5XVDDQ
0.9
1.0
1.1
RZQ/4
1,2,3,4
VOH(DC) 0.8XVDDQ
0.9
1.0
1.4
RZQ/4
1,2,3,4
RTT60pu240
VOL(DC) 0.2XVDDQ
0.9
1.0
1.4
RZQ/4
1,2,3,4
0.5XVDDQ
0.9
1.0
1.1
RZQ/4
1,2,3,4
VOH(DC) 0.8XVDDQ
0.6
1.0
1.1
RZQ/4
1,2,3,4
RTT60
VIL(AC) to VIH(AC)
0.9
1.0
1.6
RZQ/8
1,2,5
(1,0,0)
20 ohm
RTT60pd240
VOL(DC) 0.2XVDDQ
0.6
1.0
1.1
RZQ/6
1,2,3,4
0.5XVDDQ
0.9
1.0
1.1
RZQ/6
1,2,3,4
VOH(DC) 0.8XVDDQ
0.9
1.0
1.4
RZQ/6
1,2,3,4
RTT60pu240
VOL(DC) 0.2XVDDQ
0.9
1.0
1.4
RZQ/6
1,2,3,4
0.5XVDDQ
0.9
1.0
1.1
RZQ/6
1,2,3,4
VOH(DC) 0.8XVDDQ
0.6
1.0
1.1
RZQ/6
1,2,3,4
RTT60
VIL(AC) to VIH(AC)
0.9
1.0
1.6
RZQ/12
1,2,5
Deviation of VM w.r.t VDDQ/2, VM
-5
5
%
1,2,5,6
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PDF描述
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K4B4G0846D-BCK0000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
K4B4G1646B-HCH9000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
K4B4G1646B-HCK000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
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