參數(shù)資料
型號(hào)： 28F016SC
廠商： Intel Corp.
英文描述： 16-MBIT SmartVoltage FlashFile Memory(16M位智能電壓閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 16兆內(nèi)存SmartVoltage FlashFile（1,600位智能電壓閃速存儲(chǔ)器）
文件頁數(shù)： 31/42頁
文件大?。?/td> 725K
代理商： 28F016SC
E
6.4
BYTE-WIDE SmartVoltage FlashFile MEMORY FAMILY
31
PRELIMINARY
DC Characteristics
—Commercial Temperature
2.7V V
CC
3.3V V
CC
5V V
CC
Test
Sym
Parameter
Notes Typ Max Typ Max Typ Max Unit
Conditions
I
LI
Input Load Current
1
±
0.5
±
0.5
±
1
μ
A V
CC
= V
CC
Max, V
IN
= V
CC
or GND
I
LO
I
CCS
Output Leakage Current
1
±
0.5
±
0.5
±
10
μ
A V
CC
= V
CC
Max, V
OUT
= V
CC
or GND
V
CC
Standby Current
1,3,6
20
100
20
100
25
100
μ
A CMOS Inputs
V
CC
= V
CC
Max
CE# = RP# = V
CC
± 0.2 V
mA TTL Inputs
V
CC
= V
CC
Max, CE# = RP# = V
IH
μ
A RP# = GND ± 0.2 V
I
OUT
(RY/BY#) = 0 mA
0.1
2
0.2
2
0.4
2
I
CCD
V
CC
Deep Power-
Down Current
1
10
10
10
I
CCR
V
CC
Read Current
1,5,6
6
12
7
12
17
35
mA CMOS Inputs
V
CC
= V
CC
Max, CE# = GND
f = 5 MHz (2.7 V, 3.3 V), 8 MHz (5 V)
I
OUT
= 0 mA
mA TTL Inputs
V
CC
= V
CC
Max, CE# = GND
f = 5 MHz (2.7 V, 3.3 V), 8 MHz (5 V)
I
OUT
= 0 mA
mA V
PP
= 3.3 V ± 0.3 V
7
18
8
18
20
50
I
CCW
V
CC
Program or
Set Lock-Bit Current
1,7
17
17
35
mA V
PP
= 5 V ± 10%
12
30
mA V
PP
= 12 V ± 5%
I
CCE
V
CC
Block Erase or
Clear Block
1,7
17
mA V
PP
= 3.3 V ± 0.3 V
17
30
mA V
PP
= 5 V ± 10%
Lock-Bits Current
12
25
mA V
PP
= 12 V ± 5%
I
CCWS
I
CCES
V
CC
Program or Block
Erase Suspend Current
1,2
1
6
1
10
mA CE# = V
IH
I
PPS
V
PP
Standby Current
1
±2
±15
±2
±15
± 2
±15
μA V
PP
≤
V
CC
I
PPR
V
PP
Read Current
1
10
200
10
200
10
200
μA V
PP
> V
CC
I
PPD
V
PP
Deep Power-Down
Current
1
0.1
5
0.1
5
0.1
5
μA RP# = GND ± 0.2 V
I
PPW
V
PP
Program/ Set
Lock-Bit Current
1,7
40
mA V
PP
= 3.3 V ± 0.3 V
40
40
mA V
PP
= 5 V ± 10%
15
15
mA V
PP
= 12 V ± 5%
I
PPE
V
PP
Block Erase/Clear
Block Lock-Bits
1,7
20
mA V
PP
= 3.3 V ± 0.3 V
20
20
mA V
PP
= 5 V ± 10%
Current
15
15
mA V
PP
= 12 V ± 5%
I
PPWS
I
PPES
V
Program/ Block Erase
Suspend Current
1
10
200
10
200
μA V
PP
= V
PPH1/2/3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
28F008S 8-MBit (1 MBit x 8) FLASHFILE Memory(8-M位 (1 M位 x 8)閃速存儲(chǔ)器)
28F0101024K 28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY
28F010 1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY
28F016B3 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
28F032B3 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
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參數(shù)描述
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28F016XD 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:16-MBIT (1 MBIT x 16) DRAM-INTERFACE FLASH MEMORY
28F016XS 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) SYNCHRONOUS FLASH MEMORY
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28F020 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY
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