參數(shù)資料
型號(hào)： 28F016SC
廠商： Intel Corp.
英文描述： 16-MBIT SmartVoltage FlashFile Memory(16M位智能電壓閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 16兆內(nèi)存SmartVoltage FlashFile（1,600位智能電壓閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 35/42頁(yè)
文件大?。?/td> 725K
代理商： 28F016SC
E
6.5
T
A
= 0°C to +70°C
BYTE-WIDE SmartVoltage FlashFile MEMORY FAMILY
35
PRELIMINARY
AC Characteristics
—Read-Only Operations
(1)
—Commercial Temperature
5 V ± 5% V
CC
-85/-95
(5)
Versions
(4)
5 V ± 10% V
CC
-90/-100
(6)
-120
Unit
3.3 V ± 0.3 V V
CC
-120
-150
2.7 V
3.6 V V
CC
-150
-170
#
Sym
Parameter
Notes Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max
85
90
120
95
100
120
85
90
95
100
85
90
95
100
40
45
400
400
R1 t
AVAV
Read Cycle
Time
Address to
Output Delay 16 Mbit
CE# to Output 4, 8 Mbit
Delay
OE# to Output Delay
RP# High to Output
Delay
CE# to Output in Low Z
OE# to Output in Low Z
CE# High to Output in
High Z
OE# High to Output in
High Z
Output Hold from
Address, CE# or OE#
Change, Whichever
Occurs First
4, 8 Mbit
16 Mbit
4, 8 Mbit
150
150
170
170
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
R2 t
AVQV
120
120
120
120
50
400/
600
(7)
150
150
150
150
55
600
170
170
170
170
55
600
R3 t
ELQV
2
2
2
16 Mbit
R4 t
GLQV
R5 t
PHQV
R6 t
ELQX
R7 t
GLQX
R8 t
EHQZ
3
3
3
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
ns
ns
ns
55
55
55
55
55
R9 t
GHQZ
3
10
10
15
20
25
ns
R10 t
OH
3
0
0
0
0
0
ns
NOTES:
1.
2.
3.
4.
5.
See AC Input/Output Reference Waveform for maximum allowable input slew rate.
OE# may be delayed up to t
ELQV
–t
GLQV
after the falling edge of CE# without impact on t
ELQV
.
Sampled, not 100% tested.
See
Ordering Information
for device speeds (valid operational combinations).
See Transient Input/Output Reference Waveform and Transient Equivalent Testing Load Circuit (High Speed
Configuration) for testing characteristics.
See Transient Input/Output Reference Waveform and Transient Equivalent Testing Load Circuit (Standard Configuration)
for testing characteristics.
Valid for 3.3 V V
CC
read operations.
6.
7.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
28F008S 8-MBit (1 MBit x 8) FLASHFILE Memory(8-M位 (1 M位 x 8)閃速存儲(chǔ)器)
28F0101024K 28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY
28F010 1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY
28F016B3 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
28F032B3 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
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參數(shù)描述
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28F016XD 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:16-MBIT (1 MBIT x 16) DRAM-INTERFACE FLASH MEMORY
28F016XS 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) SYNCHRONOUS FLASH MEMORY
28F0181-1SR-10 功能描述:電磁干擾濾波珠子、扼流圈和陣列 115ohms 100MHz 10A Broad Band Frequency RoHS:否 制造商:AVX 阻抗: 最大直流電流:35 mA 最大直流電阻: 容差: 端接類(lèi)型:SMD/SMT 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 封裝 / 箱體:0603 (1608 metric)
28F020 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY
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