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參數(shù)資料
| 型號： | GE28F128W30B90 |
| 英文描述： | CHIP RESISTOR |
| 中文描述： | 的EEPROM | FLASH動畫| 8M × 16位|的CMOS | BGA封裝| 60PIN |塑料 |
| 文件頁數(shù)： | 42/91頁 |
| 文件大?。?/td> | 994K |
| 代理商： | GE28F128W30B90 |
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1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O
42
Datasheet
7.3
VPP Protection
The 1.8 Volt Intel
Wireless Flash memory with provides in-system program and erase at V
PP1
. For
factory programming, it also includes a low-cost, backward-compatible 12 V programming
feature.(
See “Factory Programming” on page 26.
) The EFP feature can also be used to greatly
improve factory program performance as explained in
Section 5.3, “Enhanced Factory Program
(EFP)” on page 27
.
In addition to the flexible block locking, holding the V
PP
programming voltage low can provide
absolute hardware write protection of all flash-device blocks. If V
PP
is below V
PPLK
, program or
erase operations result in an error displayed in SR[3]. (See
Figure 14
.)
NOTE:
If the V
CC
supply can sink adequate current, you can use an appropriately valued resistor.
Figure 13. Protection Register Locking
0x84
0x88
0x85
0x81
0x80
PR Lock Register 0
User-Programmable
Intel Factory-Programmed
15 14 13 12 11 10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Figure 14. Examples of VPP Power Supply Configurations
12 V fast programming
Absolute write protection with V
PP
≤
V
PPLK
System supply
(Note 1)
VCC
VPP
12 V supply
Low voltage and 12 V fast programming
System supply
12 V supply
Low-voltage programming
Absolute write protection via logic signal
System supply
Prot# (logic signal)
Low-voltage programming
System supply
≤
10K
VCC
VPP
VCC
VPP
VCC
VPP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GE28F128W30T90 | EEPROM|FLASH|8MX16|CMOS|BGA|60PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30B70 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30B85 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30T70 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30T85 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GE28F128W30T90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|8MX16|CMOS|BGA|60PIN|PLASTIC |
| GE28F160B3BC70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F160B3BC80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F160B3TC70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F160B3TC80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
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