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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GE28F128W30B90 |
| 英文描述： | CHIP RESISTOR |
| 中文描述： | 的EEPROM | FLASH動(dòng)畫| 8M × 16位|的CMOS | BGA封裝| 60PIN |塑料 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 83/91頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 994K |
| 代理商： | GE28F128W30B90 |
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1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O
Datasheet
83
B.5
Device Geometry Definition
Table 32. Device Geometry Definition
Offset
27h
Length
1
Description
Code
See table below
“n” such that device size = 2
in number of bytes
Flash device interface code assignment:
"n" such that n+1 specifies the bit field that represents the flash
device width capabilities as described in the table:
27:
7
6
5
4
3
2
1
0
28h
2
—
15
—
—
14
—
—
13
—
—
12
—
x64
11
—
x32
10
—
x16
9
—
x8
8
—
28:
--01
x16
29:
2A:
2B:
2C:
--00
--00
--00
2Ah
2
“n” such that maximum number of bytes in write buffer = 2
n
0
2Ch
1
2Dh
4
Erase Block Region 1 Information
bits 0–15 = y, y+1 = number of identical-size erase blocks
bits 16–31 = z, region erase block(s) size are z x 256 bytes
2D:
2E:
2F:
30:
31:
32:
33:
34:
35:
36:
37:
38:
31h
4
Erase Block Region 2 Information
bits 0–15 = y, y+1 = number of identical-size erase blocks
bits 16–31 = z, region erase block(s) size are z x 256 bytes
35h
4
Reserved for future erase block region information
See table below
See table below
See table below
See table below
Number of erase block regions (x) within device:
1. x = 0 means no erase blocking; the device erases in bulk
2. x specifies the number of device regions with one or
more contiguous same-size erase blocks.
3. Symmetrically blocked partitions have one blocking region
Address
32 Mbit
–B
--16
--01
--00
--00
--00
--02
--07
--00
--20
--00
--3E
--00
--00
--01
--00
--00
--00
--00
–T
--16
--01
--00
--00
--00
--02
--3E
--00
--00
--01
--07
--00
--20
--00
--00
--00
--00
--00
–B
--17
--01
--00
--00
--00
--02
--07
--00
--20
--00
--7E
--00
--00
--01
--00
--00
--00
--00
–T
--17
--01
--00
--00
--00
--02
--7E
--00
--00
--01
--07
--00
--20
--00
--00
--00
--00
--00
–B
--18
--01
--00
--00
--00
--02
--07
--00
--20
--00
--FE
--00
--00
--01
--00
--00
--00
--00
–T
--18
--01
--00
--00
--00
--02
--FE
--00
--00
--01
--07
--00
--20
--00
--00
--00
--00
--00
27:
28:
29:
2A:
2B:
2C:
2D:
2E:
2F:
30:
31:
32:
33:
34:
35:
36:
37:
38:
64 Mbit
128 Mbit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GE28F128W30T90 | EEPROM|FLASH|8MX16|CMOS|BGA|60PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30B70 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30B85 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30T70 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30T85 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GE28F128W30T90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|8MX16|CMOS|BGA|60PIN|PLASTIC |
| GE28F160B3BC70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F160B3BC80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F160B3TC70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F160B3TC80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
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