參數(shù)資料
型號: GE28F128W30B90
英文描述: CHIP RESISTOR
中文描述: 的EEPROM | FLASH動畫| 8M × 16位|的CMOS | BGA封裝| 60PIN |塑料
文件頁數(shù): 58/91頁
文件大小: 994K
代理商: GE28F128W30B90
1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O
58
Datasheet
10.4
DC Voltage Characteristics
Table 20. DC Voltage Characteristics
Sym
Parameter
(1)
Note
V
CCQ
= 3.0 V
Unit
Test Condition
32/64 Mbit
128 Mbit
Min
Max
Min
Max
V
IL
Input Low
8
0
0.4
0
0.4
V
V
IH
Input High
V
CCQ
– 0.4
V
CCQ
V
CCQ
– 0.4
V
CCQ
V
V
OL
Output Low
0.1
0.1
V
V
CC
= V
CC
Min
V
CCQ
= V
Min
I
OL
= 100 μA
V
CC
= V
CC
Min
V
CCQ
= V
Min
I
OH
= –100 μA
V
OH
Output High
V
– 0.1
V
– 0.1
V
V
PPLK
V
LKO
V
ILKOQ
V
PP
Lock-Out
V
CC
Lock
V
CCQ
Lock
7
0.4
0.4
V
1.0
1.0
V
0.9
0.9
V
NOTE:
For all numbered note references in this table, refer to the notes in
Table 19, “DC Current
Characteristics” on page 56
.
相關PDF資料
PDF描述
GE28F128W30T90 EEPROM|FLASH|8MX16|CMOS|BGA|60PIN|PLASTIC
GE28F640W30B70 EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
GE28F640W30B85 EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
GE28F640W30T70 EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
GE28F640W30T85 EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
GE28F128W30T90 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|8MX16|CMOS|BGA|60PIN|PLASTIC
GE28F160B3BC70 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
GE28F160B3BC80 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
GE28F160B3TC70 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
GE28F160B3TC80 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory