參數(shù)資料
型號： GE28F128W30B90
英文描述： CHIP RESISTOR
中文描述： 的EEPROM | FLASH動畫| 8M × 16位|的CMOS | BGA封裝| 60PIN |塑料
文件頁數(shù)： 65/91頁
文件大?。?/td> 994K
代理商： GE28F128W30B90
1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O
Datasheet
65
NOTES:
1.
Section 8.2, “First Access Latency Count (CR[13:11])” on page 45
describes how to insert clock cycles during
the initial access.
2. WAIT (shown asserted; CR.10 = 0) can be configured to assert either during, or one data cycle before, valid
data.
Figure 23. Synchronous 4-Word Burst Read Operation Waveform
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
Valid
Address
V
IH
V
IL
Note 1
V
OH
V
OL
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
Valid
Output
High Z
R105
R102
R301
R302
R306
R101
R2
R106
R103
R3
R4
R7
R304
R5
R305
R8
R9
0
1
RST# [P]
WAIT [T]
WE# [W]
OE# [G]
CE# [E]
ADV# [V]
Address [A]
CLK [C]
Data [Q]
Note 2
R104
R303
R10
R307
High Z
R308
R309
R310
High Z
High Z
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GE28F128W30T90 EEPROM|FLASH|8MX16|CMOS|BGA|60PIN|PLASTIC
GE28F640W30B70 EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
GE28F640W30B85 EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
GE28F640W30T70 EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
GE28F640W30T85 EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GE28F128W30T90 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|8MX16|CMOS|BGA|60PIN|PLASTIC
GE28F160B3BC70 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
GE28F160B3BC80 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
GE28F160B3TC70 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
GE28F160B3TC80 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
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