參數(shù)資料
型號(hào)： GE28F128W30B90
英文描述： CHIP RESISTOR
中文描述： 的EEPROM | FLASH動(dòng)畫(huà)| 8M × 16位|的CMOS | BGA封裝| 60PIN |塑料
文件頁(yè)數(shù)： 91/91頁(yè)
文件大?。?/td> 994K
代理商： GE28F128W30B90
1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O
Datasheet
91
Appendix D Ordering Information
Figure 39. Component Ordering Information
R D 2 8 F 6 4 0 8 W
T 7 0
Package Designator,
Extended Temperature
(-25 C to +85 C)
GE = 0.75 MM VF BGA
RD = Stacked CSP
GT = 0.75 MM μBGA*
Product line designator
for all Intel
Flash products
Access Speed
70 ns
85 ns
Product Family
W30 = 1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory
with 3 Volt I/O and SRAM
V
CC
= 1.70 V - 1.90 V
V
CCQ
= 2.20 V - 3.30 V
Flash Density
320 = x16 (32-Mbit)
640 = x16 (64-Mbit)
128 = x16 (128-Mbit)
Parameter Partition
T =
Top Parameter
Device
B =
Bottom Parameter
Device
SRAM Density for
Stacked-CSP Products
Only
4 = x16 (4-Mbit)
8 = x16 (8-Mbit)
3 0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GE28F128W30T90 EEPROM|FLASH|8MX16|CMOS|BGA|60PIN|PLASTIC
GE28F640W30B70 EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
GE28F640W30B85 EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
GE28F640W30T70 EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
GE28F640W30T85 EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GE28F128W30T90 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|8MX16|CMOS|BGA|60PIN|PLASTIC
GE28F160B3BC70 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
GE28F160B3BC80 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
GE28F160B3TC70 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
GE28F160B3TC80 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*