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參數資料
| 型號： | GE28F128W30B90 |
| 英文描述： | CHIP RESISTOR |
| 中文描述： | 的EEPROM | FLASH動畫| 8M × 16位|的CMOS | BGA封裝| 60PIN |塑料 |
| 文件頁數： | 76/91頁 |
| 文件大?。?/td> | 994K |
| 代理商： | GE28F128W30B90 |
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1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O
76
Datasheet
11.6
Device Capacitance
T
A
= +25 °C, f = 1 MHz
Symbol
Parameter
§
Typ
Max
Unit
Condition
C
IN
Input Capacitance
6
8
pF
V
IN
= 0.0 V
C
OUT
Output Capacitance
8
12
pF
V
OUT
= 0.0 V
C
CE
CE# Input Capacitance
10
12
pF
V
IN
= 0.0 V
§
Sampled, not 100% tested.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GE28F128W30T90 | EEPROM|FLASH|8MX16|CMOS|BGA|60PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30B70 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30B85 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30T70 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30T85 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GE28F128W30T90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|8MX16|CMOS|BGA|60PIN|PLASTIC |
| GE28F160B3BC70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F160B3BC80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F160B3TC70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F160B3TC80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
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