參數(shù)資料
型號: GE28F128W30B90
英文描述: CHIP RESISTOR
中文描述: 的EEPROM | FLASH動(dòng)畫| 8M × 16位|的CMOS | BGA封裝| 60PIN |塑料
文件頁數(shù): 89/91頁
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代理商: GE28F128W30B90
1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O
Datasheet
89
Appendix C Mechanical Specifications
Figure 37. 32-Mbit and 64-Mbit VF BGA, 0.75 mm Ball Pitch, 7×8 Ball Matrix Package Drawing
A
2
Bottom View – Bump Side Up
Top View – Silicon Backside
Complete Ink Mark Not Shown
Side View
A
A
1
Seating
Plane
Y
s
2
Pin # 1
Indicator
E
b
Pin # 1
Corner
s
1
e
D
1 2 3
4 5
6 7
8
A
B
C
D
E
F
G
8 7 6
5 4
3 2 1
A
B
C
D
E
F
G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GE28F128W30T90 EEPROM|FLASH|8MX16|CMOS|BGA|60PIN|PLASTIC
GE28F640W30B70 EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
GE28F640W30B85 EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
GE28F640W30T70 EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
GE28F640W30T85 EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC
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參數(shù)描述
GE28F128W30T90 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|8MX16|CMOS|BGA|60PIN|PLASTIC
GE28F160B3BC70 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
GE28F160B3BC80 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
GE28F160B3TC70 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
GE28F160B3TC80 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory