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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GE28F128W30B90 |
| 英文描述： | CHIP RESISTOR |
| 中文描述： | 的EEPROM | FLASH動(dòng)畫| 8M × 16位|的CMOS | BGA封裝| 60PIN |塑料 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 55/91頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 994K |
| 代理商： | GE28F128W30B90 |
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1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O
Datasheet
55
10.2
Operating Conditions
Table 18. Extended Temperature Operation
Symbol
Parameter
1
Note
Min
Nom
Max
Unit
T
A
V
CC
V
CCQ
V
PP1
V
PP2
t
PPH
Operating Temperature
–40
25
85
°C
V
CC
Supply Voltage
I/O Supply Voltage
3
1.7
1.8
1.95
V
3
2.2
3.0
3.3
V
PP
Voltage Supply (Logic Level)
Factory Programming V
PP
Maximum V
PP
Hours
Main and Parameter
Blocks
2
0.90
1.80
1.95
2
11.4
12.0
12.6
V
PP
= 12 V
2
80
Hours
Block
Erase
Cycles
V
PP
≤
V
CC
2
100,000
Cycles
Main Blocks
V
PP
= 12 V
V
PP
= 12 V
2
1000
Parameter Blocks
2
2500
NOTES:
1. See
Section 10.3, “DC Current Characteristics” on page 56
and
Section 10.4, “DC Voltage Characteristics”
on page 58
for specific voltage-range specifications.
2. VPP is normally V
. VPP can be connected to 11.4 V–12.6 V for 1000 cycles on main blocks for
extended temperatures and 2500 cycles on parameter blocks at extended temperature.
3. Contact your Intel field representative for V
/V
operations down to 1.65 V.
4. See the tables in
Section 10.0, “Thermal and DC Characteristics” on page 54
and in
Section 11.0, “AC
Characteristics” on page 59
for operating characteristics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GE28F128W30T90 | EEPROM|FLASH|8MX16|CMOS|BGA|60PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30B70 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30B85 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30T70 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30T85 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GE28F128W30T90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|8MX16|CMOS|BGA|60PIN|PLASTIC |
| GE28F160B3BC70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F160B3BC80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F160B3TC70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F160B3TC80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
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